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[参考译文] TMS320F28P650DH:闪存操作、写入成功后。 读取闪存地址、CPU 进入死区状态。

Guru**** 2511985 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1386727/tms320f28p650dh-flash-operation-after-write-successfully-read-the-flash-address-cpu-go-to-dead-status

器件型号:TMS320F28P650DH

工具与软件:

我们使用以下代码操作闪存。    "Resource Variant"页面。  我们可以看到闪存地址已成功写入。   但我们读取闪存地址。  CPU2运行至 DEAD 状态。

需要添加哪些其他代码?

CPU2在 RAM 中运行。 (闪存组4)   写入闪存组1。  (组1分配给 CPU2)。

空 Flash_Program (uint32_t Addr、uint16_t* buff、uint16_t size)

//启用程序
Fapi_setupBankSectorEnable (FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTA、0x00000000);
Fapi_setupBankSectorEnable (FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTB、0x00000000);
//program data、addr 与 len 对齐、min len 为2*16_bit、max 为8*16_bit
Fapi_issueProgrammingCommand ((uint32 *) Addr、buff、size、0、0、Fapi_Data);

//等待闪存编程操作结束
while (Fapi_checkFsmForReady()== Fapi_Status_Fsm y);

}

谢谢你

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    尊敬的 Sheldon:

    您使用的是 PROGRAM 命令的" Fapi_Data 260"模式。  这意味着您没有对 ECC 进行编程。  因此、当您读取闪存时会发生 ECC 错误、应用程序将在 NMI ISR/复位中结束。

    请将 ECC 与数据一起进行编程。  在闪存 API 指南中搜索 Fapi_Auto EccGeneration。

    谢谢。此致、
    Vamsi

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    感谢您的快速响应。 来试试吧。

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    体验过了。   仅适用于8个带 ECC 的字节(仅限64位)。     这将是一个错误代码。 (16或32字节)如何操作?   我们是否必须在没有 ECC 的情况下使用 API?   如果没有、在哪里可以找到不使用 ECC 的演示代码?

    谢谢你。

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    尊敬的 Sheldon:

    您可以一次最多编程128位。  此外、您必须再次调用程序函数。   

    如果不对 ECC 进行编程:由于默认情况下启用了 ECC 检查、因此将收到 ECC 错误。

    如您所知、Fapi_Data 4.0模式用于不对 ECC 进行编程。

    谢谢。此致、
    Vamsi

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    很明显。  非常感谢。