[参考译文] TMS320F280039-Q1：C2000微控制器论坛

您好 Huihuang、

主题专家是 OOO。

我认为该评估是使用 MCU 完成的、使用的是内部板(VDB)、而不是 EVM。 我可以具体在图6.21内部查看。  

但是、如果您使用10MHz 晶振、只要其 ESR 在要求范围内 的话、此晶振就应该合适。  

此致、

Uttam

此帖子的任何更新？

尊敬的 Johnson：

负电阻曲线是从设计仿真结果中获取的、因为在 CL 和 Co 的所有组合中对其进行测量是不切实际的

此致、

Joseph

尊敬的 Joseph：

如果是6-12pF 之间的有效 CL、则 C0 = 1-7pfF。  负电阻大于500欧姆、但从数据表中可以看出、普遍接受的做法是使 Rneg 大于3倍 ESR 至5倍 ESR、以确保晶体在所有条件下都能启动。

如何理解画面？

尊敬的 Johnson：

例如、10MHz 晶体的最大 ESR 为55欧姆、在表6-8中、3至5倍为165欧姆至275欧姆、以满足负电阻标准。  这意味着高于165欧姆至275欧姆的负电阻不会出现启动问题、因此500欧姆或更高的负电阻不会出现任何问题。

希望这是明确的。

此致、

Joseph

尊敬的 Joseph：

如果像这样、为什么  Rneg 大于3倍 ESR 至5倍 ESR、为什么我们不说 Rneg 大于3倍 ESR 或>5倍 ESR？

您是否意味着图6-21是可接受的最大负电阻 值？

尊敬的 Johnson：

请注意、这些图是通过仿真提供的、作为在给定 C0、CL 和 ESR 下选择晶体的指南。  负电阻由振荡器电路产生以抵消晶体 提供的阻抗、较高的负电阻意味着它应该能够为晶体的电阻部分 C0和 CL 提供足够的能量开始振荡。 >3倍至>5倍的 ESR 是负电阻的一般标准。  这是第一部分。  第二部分是确定晶体的特性、以确保无论给定的 ESR、C0和 CL 哪一部分都将实际启动并维持振荡。

此致、

Joseph   

尊敬的 Johnson：

我理解第二部分。

但在不了解 图6-21的方法之前、 您是否意味着图6-21是可接受的最大负电阻 值？

尊敬的 Johnson：

您可以这样解释、 下面的 示例可能更好地说明这一点。  以该图为指导、指示所选晶振是否满足3X 至5x 标准以开始振荡。  例如、以具有 C0=5pF 和 CL1=CL2=24pf (有效 CL 为12pF)的10MHz 晶体为例。  第一个晶体的最大 ESR 为100欧姆。  第二个晶体的最大 ESR 为1750欧姆。

根据图、 对于5pF 的 C0和12pF 的 CL 有效、晶体电路提供约700欧姆的负电阻(用于抵消 ESR 的 XTAL 有效阻抗)。  实现启动的一般标准是负电阻应大于 ESR 的3倍至5倍。  对于第一个晶体、负电阻要求为3x90至5x90或270ohm 至450ohm。  第二个晶体需要至少具有3x175至5x100或525 Ω 至800 Ω 的负电阻。  根据这些计算结果、我将选择第一个晶体、因为它符合负电阻的标准、其中270 Ω 至450 Ω 完全处于振荡器电路提供的700 Ω 负电阻范围内。  第二个晶振的负电阻要求在振荡器电路可提供的范围之外(525欧姆至800欧姆与电路提供的700欧姆负电阻相比微不足道)。

此致、

Joseph