[参考译文] TMS320F280039C-Q1：C2000微控制器论坛

嗨、Huihuang

请参阅我们的硬件设计指南第3.4.1节" 去耦电容器背景的电源要求"： https://www.ti.com/lit/an/spracz9a/spracz9a.pdf。 

此致、

Allison

您好、Allison、

我不认为你回答了 我的问题!

没有提供高于 26.8uF 情况的失效模式。

如果您不是正确的人、请帮助让专家参与此问题！

谢谢！

尊敬的 Huihuang：

具有去耦电容的目的是帮助控制/平滑电源中的电压尖峰/压降。 但是、如果使用 更高的电容、LDO 的上升时间可能会更慢。 例如、这可能会在复位时影响器件、具体取决于 XRSn 释放的时序、因此结果可能会使器件超出规格。 数据表 PMM 部分提供了有关上电 时序和斜升图的更多详细信息。

此致、

Allison

您好、Allison、

您能否更具体地说明将影响哪个时间？

请列出将受  26.8uF 以上情况影响的所有时间。

谢谢！

尊敬的 Huihuang：

Allison 目前不在办公室,直到星期二7/9所以请预计她的答复会有一些延误。

此致、

Delaney

Matt、

您能否告知如果 增加 VDD 上的电容、DS 中的哪个值将受到影响？

从数据表中、我只看到 tw (RSL1)与复位相关、但此时序是在 VDD 稳定之后、而不是在 VDDIO 之后。