[参考译文] TMS320F28P650DK：DK6上的 RAM 代码意外更改

尊敬的 Hang：

我不确定导致这种行为的原因、会邀请其他专家。 ITRAP 指令原因和调试记录在以下页面上、仅供参考。

https://software-dl.ti.com/C2000/docs/c28x_interrupt_faq/html/index.html 

此致！

Kevin

感谢 Kevin 的信息。 客户被困在软件的这个很早的阶段、请尽快帮助解决此问题。

您好！

此问题是否有任何更新？ 是否可以在业务部门侧重现此问题？

此致、

挂起。

尊敬的 Hang：

很抱歉耽误你的时间。 还在尝试从团队中的其他专家那里寻求帮助。

他们的所有器件/电路板上是否都出现这种行为？

此致！

Kevin

挂起、

这是奇怪的。 您是否使用相同的方法在两个电路板上加载代码、而且 SW 的版本相同。 还可以禁用"Run to main"选项、然后重新检查内容吗？ 如果您只在 RAM 中加载代码、而没有从 CCS 加载程序获取验证错误、则内容可能会在以后而不是在加载后更新。  

Vivek Singh

尊敬的 Vivek、

是、除在工程属性中选择 DK6外、相同：

此外、DK6和 XDS100加载、DK9使用 XDS100V3

此致、

挂起。

您好！

此问题是否有任何更新？

您是否尝试禁用运行到主选项并检查它？

尊敬的 Vivek、

很抱歉忘记在这里更新。 当在代码开始处停止时、结果是相同的。

你确定它是你的代码的一部分吗? 如果您没有遇到验证错误、则它可能不是.out 的一部分。  

Vivek Singh

您的意思是它不是内存浏览器中显示的代码的一部分吗？ 当恢复代码时、我们可以看到它运行到0x83d3b 处的指令中。

您尚未禁用闪存 GUI 设置中的验证检查。 对吗？  

快速验证它。

您是否可以尝试进行全面验证？

这是一样的。 我还尝试使用十六进制加载程序并将存储器转储为十六进制进行比较、但没有验证警告便无故更改了代码

此外、在"Memory Browser"或通过阵列手动写入特定值(例如0x180E)将不起作用。 在这里、我使用数组来填充0x180E 和一些其他值以 RAM、而在写入 RAM 时仅更改0x180E

看起来多个位置都在发生变化。 这些固定位置是每次都是还是不断变化？

您是只在 RAM 中加载代码还是在闪存中加载代码？ 是可以共享完整项目还是共享所有链接器 cmd 文件？ 检查此板上的电源也是个好主意。

Vivek Singh

更改的位置不是固定的、而是遵循一些模式、例如、值为0x180E 的位置会发生更改。 在 RAM 和闪存中加载都存在这个问题、RAM 和闪存都已更改。 我们使用 device_support 文件夹中的 led 示例重复出现了此问题。 我们现在正在检查电源。

此致、

挂起。

Unknown 说：

我们正在检查电源。

谢谢。 请告诉我您发现了什么。

我们已检查3.3V 电源轨在编程期间未出现异常。 有什么想法可能是什么原因?

在此处进行了更新、我们在同一电路板上测试了 DK9、问题仍然存在。  

挂起、

我想、您将工作部件从 TI 评估板换用了客户定制板、现在失败了。 正确吗？ 如果是、则表明它指向某个电路板问题。 请确认。

Vivek Singh

Vivek、  

否、DK9不是来自 EVM、而是新样片、我们无法在 EVM 上使用 DK9、因为封装不同。 DK9样品未经过测试、因此无法确认其电路板问题。

假设 存在电路板问题、是否对相关问题有任何建议、以便我们进行检查？