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[参考译文] TMS320F28375S:通过 CMPSS 清除 TZ 标志然后触发下一次 TZ 跳闸的时序问题

Guru**** 2379320 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1414829/tms320f28375s-timing-concern-on-clearing-the-tz-flag-then-triggering-next-time-tz-trip-through-cmpss

器件型号:TMS320F28375S

工具与软件:

尊敬的 Champ:

我要求为我的客户提供服务。

它们尝试使用比较器 和 EPWM DCAEVT1 / DCAEVT2、在一次性跳闸中触发 TZISR。

他们计划检查比较器输出状态并清除中的 TZ 一次性标志 另一个控制流 (不在 TZISR 中、即 在10kHz 定时器中断中 )、检查比较器输出是否为低电平、然后清除标志、然后在下一次触发 TZISR。  

(1)。 在 上述情况下、 在 用户 确认比较器输出为低电平时、 比较器输出突然从低电平变为高电平、然后用户才能设置清除 TZ 标志的命令。 是否有机会这样做  导致在这种情况下未执行 TZISR? 是否需要考虑这里的时序?

(2)。 内部跳闸子模块机制如何检查一次性标志是否被清除? 检查每个 PWM 时钟周期(EPWMCLK)? 人们认为这将影响第一个问题的结果。

(3)。 在 TRM 中、它 ˟要锁存的条件、至少持续3 μ s TBCLK、如下所示。

  (图1)

 对于 TZx 输入低电平、DS 中针对脉冲持续时间指定的情况并不相同、对吧?

 (图2)

˟不是如此、DS 中指定要锁存的最小3 μ s TBCLK 在哪里、或者只是 TRM 中的一条注意事项吗? 然后、 最小值在哪里 是否要考虑脉冲持续时间?

(4)。  对于通过 CMPSS 设置的 ePWM 一次性跳闸条件、确认估算的完成执行时间达到 TZISR 第一行、并考虑 ISR 或堆栈存储器上的中断延迟和等待状态、以获得额外的延迟。 专家是否会逐一明确列出? 从 CMPSS -> EPWM-Xbar -> EPWM 直流子模块-> TZISR (第一行代码)估算的执行时间。  

谢谢。此致、

Johnny

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Johnny:

    感谢您的咨询。 让我仔细检查一下 这些信息-明天我将更新并回答您的3个问题。 谢谢!

    此致、

    Allison

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    您好、Allison、

    感谢您对3个问题的支持。

    另外添加了一个关于从 CMPSS 到执行 TZISR 中第一行代码的完整执行时间的问题。   如果您需要更多时间与 CMPSS 和 CPU 主题专家再次确认、请稍后再回来。

    非常感谢您的支持。

    此致、

    Johnny

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    尊敬的 Johnny:

    很抱歉耽误时间、但我需要再花一天时间就这件事咨询其他 SME。 感谢您的耐心!

    此致、

    Allison

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    尊敬的 Johnny:

    我稍微修改了您的问题、以确保我理解您提出的问题:

    (1)客户 使用 比较器 和 ePWM DCAEVT1 / DCAEVT2在 OST 跳闸中触发 TZISR。  从用户手动清除 TZ 标志到触发下一个 TZISR 之间的反应时间是否存在任何问题? 在触发 TXISR 前清除 TZ 标志时、跳闸区子模块是否会忽略该标志?

    对于来自比较器的一次性跳闸中断、您需要确保在跳闸(比较器)条件无效后清除 TZFLG 和 TZOSTFLG 标志、否则您可以让中断再次发生而不设置标志(请参阅下面的 TRM 片段)

    客户可以在这里执行的是使用边沿触发跳闸区中断。 这里提供了有关如何执行此操作的常见问题解答。 请查看客户是否认为实施有帮助: https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1413992/faq-c2000ware-how-to-configure-cmpss-and-epwm-for-edge-trigger-instead-of-level-trigger/5415065?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=CMPSS%252520rising#5415065 

    (2)内部跳闸子模块如何机制来检查一次性标志是否被清除? 是否每个 PWM 时钟周期(EPWMCLK)都进行检查?

    这些标志由驱动 ePWM 模块的时钟检查、因此每个 EPWMCLK 时钟周期都是如此。

    (3)在 TRM˟中、TRIP 信号必须变为低电平至少持续3 μ s TBCLK 才能被锁存。 TZx 输入低电平的脉冲持续时间 DS 中未指定该时序。 此注释是否仅在 TRM 中找到?

    TRM 注释中的时序要求适用于与数据表规格不同的情况。 3TBCLK 注释专门应用于使用 DCAEVT/DCBEVT 作为跳闸源时的数字比较子模块。 在这种情况下、需要使用3TBCLK 来正确锁存条件。  

     您发送的数据表技术规格不是针对这个条件的、而是针对直接跳闸源输入(例如一个直接用作跳闸输入源的 GPIO)的通用指南。

    (4)是否存在从 CMPSS 到一次性跳闸(来自 CMPSS) ePWM TZISR 执行的执行时间估算? 我们如何考虑 ISR 或堆栈存储器上的中断延迟和等待状态来实现额外的延迟? 我们能否分别列出以下步骤中每个步骤的时序:    CMPSS -> EPWM-Xbar -> EPWM 直流子模块-> TZISR (第一行代码)。

    这种情况下的时序取决于多种不同的因素(例如、代码优化和中断延迟)、但可以通过在中断开始时切换 GPIO 并测量比较器变为高电平/低电平与 GPIO 切换之间的时间来测量这一点。 另请参阅此中断延迟常见问题解答: https://software-dl.ti.com/C2000/docs/c28x_interrupt_faq/html/index.html#ISR_Latency。 

    此致、

    Allison