[参考译文] TMS320F28P650DK：内部 VREG 电源

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Other Parts Discussed in Thread: TMDSCNCD28P65X, LAUNCHXL-F28P65X, TMS320F28P650DK

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器件型号：TMS320F28P650DK
主题中讨论的其他器件：TMDSCNCD28P65X、 LAUNCHXL-F28P65X、

工具与软件：

您好！

我对 VREG 功能有疑问。在 TMS320F28P650DK 的数据表中、可以发现1.2V VREG 可用的内部稳压器。此外、根据功耗曲线图、与外部电源相比、使用内部稳压器的功耗更低、因此似乎更高效。但我注意到、该微控制器的两个参考设计(TMDSCNCD28P65X 和 LAUNCHXL-F28P65X)都使用了外部1.2V 电压电源。所以、我想问一下使用1.2V 外部电源有什么好处？如果我想使用内部电源、应特别注意什么(减少 BOM 数目的优点似乎很有用)？

非常感谢您的反馈。

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2482225 points

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如果在外部提供1.2V 电压、则效率差异将取决于外部电源。内部电源功耗图低于外部电源的原因是、即使 VDDIO 处于最大值时、内部稳压器也会将1.2V 保持在该标称电压。当我们针对内核测量外部电源时、我们也对其施加最大电压。这就是为什么内部稳压器看起来更"好"的原因。

使用片外电源的原因是、如果您使用的不是 LDO、而是开关稳压器、效率将高于我们的片上 VREG、也就是 LDO。

还有一些用例需要监控内核电源、但由于其实现方式的性质、不能对内部稳压器输出使用监控器；因此、如果需要监控、需要从外部源提供1.2V 的电压。

此致！

Matthew

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

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