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[参考译文] TMS320F28P550SJ:当连接到 CCS 中的 MCU 时、中断服务例程的执行时间要长得多

Guru**** 2220740 points
Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1448298/tms320f28p550sj-the-execution-time-of-the-interrupt-service-routine-is-much-longer-when-connected-to-the-mcu-in-ccs

器件型号:TMS320F28P550SJ
主题中讨论的其他器件:UNIFLASH

工具与软件:

我使用28P550 controlCARD 开发程序。 在中断服务例程开始时、我会设置 GPIO、在退出中断之前、我会清除 GPIO。 我使用这种方法来测量中断执行时间。 但是、我发现直接对 MCU 进行编程与通过 CCS 连接到 MCU 以执行程序之间的中断执行时间有显著差异。 当在 CCS 中连接到 MCU 时、中断服务程序的执行时间要长得多、几乎是原来的十倍。 这可能是什么原因呢?

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    抱歉、我说错了。 同一程序在 CCS 中的运行速度快得多、而在直接对 MCU 进行编程并上电后、中断执行时间几乎延长了十倍。 此处的潜在问题可能是什么?

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    您好、Randy、

    很抱歉耽误了一些时间。 在 CCS 中使用什么优化级别? 您在执行什么外设中断?

    此致、

    Allison

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    您好、Allison、

    我尝试了优化级别0至2、结果是相同的。 我正在使用ADCB1_INT。 在 CCS 调试模式下运行相同代码时、中断执行时间要短得多。 但是、当使用 Uniflash 对 MCU 进行编程并从冷启动中运行时、中断执行时间明显更长。

    我发现如果我将整个中断代码放置在ramfunc中、无论运行在 CCS 调试模式下还是从闪存引导、执行时间都保持一致。 造成这种差异的原因是什么?

    此致、

    Randy

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    您好、Randy、

    是的、正如您所建议的、这必须与 使用闪存与 RAM 时需要考虑的一些差异相关。 有关这方面的更多信息和建议、请参阅以下资源:

    如果您遇到更多困惑、请随时在此处添加、或者在出现新主题时创建新主题。

    此致、

    Allison

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    哇、信息太多了

    我们使用相同的测试方法、在280039C/280049C 的 controlCARD 上没有遇到任何问题。 在 CCS 中、无论是在调试模式下还是在启动时直接刷写、中断执行时间都是相同的。 我们对使用最新的 MCU 28p55x/28p65x 为何会出现该问题感到困惑。 之前、我们还注意到280039和28p55x 之间计算相同 CRC 代码所用的时间存在显著差异。 280039只花了100ms、而28p55x 花了600ms。 后来、我们使用了 ramfuc、它将600ms 减少到200ms。 这暂时解决了我们的问题、但我们仍然对造成这种差异的原因感到非常困惑...?