工具与软件：
注意：本页面将在必要时继续更新、以提供常见问题解答的相关信息。
问题： 我的器件在 CCS 中的闪存设置在哪里？
答案： 为了访问闪存设置、继续执行以下步骤：
问题： 在哪里可以找到调试信息输出？
答案： 可以在 CCS 界面的 Debug Output 选项卡中找到调试编程消息。 为了启用详细输出、请选中"Flash Settings"对话框末尾的‘Enable Verbose Output’(启用详细输出)复选框。
问题： "Flash Settings"类别中的"User Config Settings"类别是什么？
答案： 器件的用户配置设置在 CPU1或 CPU3的加载操作之前、提供了闪存组模式设置的信息。 根据存储体模式提供了一个 CPU 配置映射、并详细介绍了用于相关 CPU 内核的闪存读取接口(FRI)。 在组模式之间切换时、选择所需的组模式。
问题： 我无法使用带有 CPU1内核的闪存插件加载 CPU1和 CPU3闪存应用程序。
答案： 在"Erase Settings"配置选项中、确保已选择"Needed Banks Only (for Program Load)"作为您的选项。
TMS320F29H85x 闪存插件使用情况 注释：
(1)在使用闪存插件执行任何闪存操作之前、
(a) 请选择将用于 CPU 操作的组模式–组模式0、组模式2 (注意：该选择应在 CPU1闪存插件 GUI 中完成)。 当前不支持组模式1和3。
(b)请 选择用户想要擦除闪存插件的闪存组(在 CPU1闪存插件 GUI 中或从 CORE 下拉列表中选择 Cortex_M4闪存插件 GUI)。
(2)将数据加载到.out 文件中的 SECCFG 存储器区域(在 CPU1闪存插件 GUI 中)时、 选择‘Allow NonMain Flash erase before loading data to Flash memory'(允许在将数据加载到闪存之前擦除非主闪存)选项。 注意-对于对 SECCFG 存储器区域进行编程时的验证失败、请取消选中"Flash Settings"->"Download Settings"框中的‘Verify flash program"复选框。 稍后的版本中将提供更新。
(3) User Config Settings (用户配置设置)中的闪存组模式选择(在 CPU1闪存插件 GUI 中)通常与器件所处的实际组模式不匹配。 可以通过查看 SSUGENREGS 来确定实际的组模式。 BANKMODE 寄存器。 对所需的组模式进行编程后、必须通过 XRSn 复位器件以启用新配置。
(4)将数据加载到.out 文件(在 Cortex_M4闪存插件 GUI 中)中的非主 BANKMGMT 和 CERT 存储器区域时、请选择‘Allow NonMain Flash erase before loading data to Flash memory (允许在将数据加载到闪存存储器之前擦除非主闪存)选项。 警告–擦除非主 BANKMGMT 和 CERT 存储器区域将擦除可编程 OTP、请谨慎继续。 仅当 需要 BANKMGMT 或 CERT 编程时、才启用非主扇区擦除。
(5)注意–在该版本的闪存插件中、CPU1和 CPU3闪存应用程序都只应从 CPU1加载。 此版本的闪存插件不支持从 CPU3加载应用程序。
参考资料：
