• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 1 订户
  • 视图 62 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F2800156-Q1：闪存 ECC 自检

admin
Guru**** 2095190 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F2800156-Q1, C2000WARE
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1432255/tms320f2800156-q1-self-test-of-flash-ecc

器件型号：TMS320F2800156-Q1
Thread 中讨论的其他器件： C2000WARE

工具与软件：

开发环境：

MCU：TMS320F2800156-Q1

TRM： TMS320F280015x 实时微控制器技术参考 Manual_RevB_.pdf

CCS：12.7

SDK：C2000Ware_5_02_00_00

示例：C：\ti\c2000\C2000Ware_5_02_00_00\libraries\diagnostic\f280015x\examples\sdl_ex_flash_ecc_test

为什么 分别将错误注入低64位或高64位(128位数据字)会产生不同的结果？

/BR

塞缪尔

  • 0
    TI__Guru**** 2095190 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,塞缪尔-我能够再现这件事,并正在研究它。 我们很快就会回复您。

    惠特尼

  • 0
    TI__Guru**** 2095190 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Whitney：

    您是否取得了任何进展？

  • 0
    TI__Guru**** 2095190 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Samuel：

    感谢您的耐心。 我还没有听到我咨询的专家的反馈。 我将再次对其执行 ping 操作。

    惠特尼

  • 0
    TI__Guru**** 2095190 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨塞缪尔-抱歉这么长的延迟,但我们确实发现,在这个例子中可纠正的错误是发生的,因为被读取的地址触发错误是一个擦除的位置(全1 )。 如果将 TEST_FLASH_ADDR_LOW 和 TEST_FLASH_ADDR_HIGH 值更新为具有实际编程数据/代码的地址、可纠正的错误将消失、并且只会生成由冗余 ECC 块之间的不匹配引起的预期不可纠正的错误。 我们将在未来的 SDK 版本中更新此示例以解决此问题。

    惠特尼