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[参考译文] TMS320F2800156-Q1：闪存 ECC 自检

admin
Guru**** 2044370 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F2800156-Q1, C2000WARE
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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1432255/tms320f2800156-q1-self-test-of-flash-ecc

器件型号：TMS320F2800156-Q1
Thread 中讨论的其他器件： C2000WARE

工具与软件：

开发环境：

MCU：TMS320F2800156-Q1

TRM： TMS320F280015x 实时微控制器技术参考 Manual_RevB_.pdf

CCS：12.7

SDK：C2000Ware_5_02_00_00

示例：C：\ti\c2000\C2000Ware_5_02_00_00\libraries\diagnostic\f280015x\examples\sdl_ex_flash_ecc_test

为什么 分别将错误注入低64位或高64位(128位数据字)会产生不同的结果？

/BR

塞缪尔

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    你好,塞缪尔-我能够再现这件事,并正在研究它。 我们很快就会回复您。

    惠特尼

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    尊敬的 Whitney：

    您是否取得了任何进展？

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    尊敬的 Samuel：

    感谢您的耐心。 我还没有听到我咨询的专家的反馈。 我将再次对其执行 ping 操作。

    惠特尼

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    TI__Guru**** 2044370 points
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    嗨塞缪尔-抱歉这么长的延迟,但我们确实发现,在这个例子中可纠正的错误是发生的,因为被读取的地址触发错误是一个擦除的位置(全1 )。 如果将 TEST_FLASH_ADDR_LOW 和 TEST_FLASH_ADDR_HIGH 值更新为具有实际编程数据/代码的地址、可纠正的错误将消失、并且只会生成由冗余 ECC 块之间的不匹配引起的预期不可纠正的错误。 我们将在未来的 SDK 版本中更新此示例以解决此问题。

    惠特尼