This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F28P650DK:flashapi_128bit_programming 与 flashapi_512bit_programming

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: C2000WARE

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1482328/tms320f28p650dk-flashapi_128bit_programming-vs-flashapi_512bit_programming

器件型号:TMS320F28P650DK
Thread 中讨论的其他器件:C2000WARE

工具与软件:

您好!

1) 1) 这里有两个 F28P65x 闪存 API 示例、128位和512位编程、分别为: C2000Ware_5_04_00_00\driverlib\f28p65x\examples\c28x_dual\flash\

   有何差异?

2) 2) 使用 flashapi_512bit_programming (与128位相比)是否有任何好处?

3) 3) 除了代码注释和参考指南 TMS320F28P65x 闪存 API 版本3.00.02.00之外、是否有解释示例的文档?

谢谢!

Rob

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    很抱歉,我的答案如下

    1. 128位编程 一次对8个16位编程、而  512位编程一次对32个16位编程。

    2.性能 方面没有太大区别 、因为 闪存状态机在内部调用128位命令4次。

    3、仅记录在闪存 API 用户指南中。

    此致、

    Rajeshwary