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[参考译文] TMS320F28P559SJ-Q1:对闪存字线对闪存程序操作的某些限制的怀疑

Guru**** 2468610 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1478498/tms320f28p559sj-q1-doubt-on-some-mention-of-restrictions-on-flash-program-operations-by-flash-word-line

器件型号:TMS320F28P559SJ-Q1

工具与软件:

在  TMS320F28P55x 实时微控制器技术参考手册(修订版 B)中、

这里提到了对闪存程序操作的限制、其措辞如下

"为了避免超过数据保留能力限制、在执行擦除操作之前、请勿在同一闪存字线上执行超过4个的编程操作。 每个闪存字线由十六个128位字(256字节)组成。 在写入一次性可编程/不可擦除闪存区域(例如用户 OTP)时、应特别注意此限制。"

这来自  6.6.2方案


这是否意味着我们无法完全写入64位块中的闪存? 由于在4个分别为64位的程序操作中、16个128位字中只有2个可以在4个程序操作的限制内被覆盖

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    Arpan,

    我正在研究这件事、请给我另一天时间、以便与您联系。

    此致!

    Matthew

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    Arpan,

    此处的措辞不完整。  这意味着适用 之后 一个字的初始编程。  

    一旦一个字被编程、在需要执行擦除前、您只能在同一字线上对任何字进行4次重新编程。  如果您在字线上对已擦除的字进行编程、则不会计入此限制

    我将提交文献更改请求以使其得到澄清。

    此致!
    Matthew