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工具与软件:
您好!
我遇到了与使用 DCSM 锁定的闪存区域中保存偏移电压相关的问题。 DCSM_claimZoneSemaphore(DCSM_FLSEM_ZONE1);
在对闪存 API 进行初始化之前、我加入了 main 函数中。
不过、我会遇到不一致的情况:在不同编程和下电上电过程中如何保留电压偏移。
具体而言、我观察到以下行为:
如果深入了解可能导致这种差异的原因以及如何确保在所有情况下可靠存储失调电压、我将不胜感激。
感谢您的时间和帮助。
此致、
最小 OH
您好!
对延迟响应深表歉意。 请注意、器件复位后、DCSM 将被锁定。 如果您已通过 JTAG 连接到器件并且已在片上闪存工具或 Uniflash 中指定 DCSM 密码以重新对器件编程。 DCSM 将解锁、直到发生下一次器件复位。 这可能会解释为什么您无法在不同条件下读取闪存中存储的变量。
谢谢!
Luke
通过 Uniflash 下载固件后、需要确定保留 DCSM 区域中电压偏移的正确程序。
我们的产品即将开始投产、因此迅速解决该问题对于确保系统完整性和性能至关重要。
您能否建议在编程过程中保留电压偏移数据所需的最佳实践或配置步骤?
感谢您的及时帮助。
我期待您的专家建议。
尊敬的 Seongmin:
我认为 DCSM 区域中的失调电压值正在保留、DCSM 在器件复位后简单地被锁定。 如果在执行闪存编程操作之前启用了复位、则只要您尝试连接到器件或对器件进行编程、就可能会进行复位。
何时需要读取偏移值? 是您需要读取此值的代码还是需要通过 JTAG 读取此值? 若要成功读取值、需要解锁 DCSM、或者需要从安全存储位置执行执行值读取的代码。
您已经参考了哪些资源来了解 DCSM? 我将探讨如何改进我们的配套资料、以便将来的用户更不可能遇到此问题。
谢谢!
Luke
尊敬的 Luke:
我已经通过使用不同的闪存库解决了该问题。
我一直在使用闪存库的 ROM 版本、并且已经切换到闪存库的正常版本。
谢谢你。
此致、
最小 OH