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[参考译文] TMS320F28335:写入闪存存储器

Guru**** 2220740 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1482822/tms320f28335-writing-to-flash-memory

器件型号:TMS320F28335

工具与软件:

在我的当前项目中、我需要在加电自检(POST)中测试闪存。 根据我的研究、典型的方法包括擦除存储器段、写入已知数据、读回这些数据以及验证完整性。 但是、我担心执行此测试可能会无意中锁定器件。 有人能建议一种安全可靠的方法来继续吗?

此致

Prashant V Achari

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Prashant,

    我将在下面提供有关锁定器件方面的更多详细信息;但对于闪存、许多客户在对闪存进行编程时嵌入闪存内容的校验和、然后可以在每次上电时在 POST 过程中对闪存进行检查、而不是重新编程闪存。  另外、如果您打算在每次上电时执行完整的擦除/编程、则必须考虑到必须在每次上电时将代码从某些外部源重新下载到闪存、这可能是不切实际的。  最后、闪存在50k W/E 的寿命限制、因此也需要了解这一点。

    在正常工作条件下、擦除和编程主阵列不会锁定器件。  只有擦除/编程中断时、此处才会出现问题;而且是在一组特定情况下发生的。  该器件上的密码位于闪存扇区 A 的最后8个字中。 如果闪存过程被中断(这可能是由于计划外 XRSn、或功率下降/损耗)、而扇区 A 或扇区 H (这是扇区 A 的平衡扇区)、则可能会有非0xFFFF 编程到这些锁定器件的区域中的值。  如果您不是 W/E 扇区 A 或 H、则意外锁定器件的风险应该很低甚至没有、即使闪存操作意外中断也是如此。如果您仍然担心意外锁定器件、也可以使用该选项。

    此致!

    Matthew