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工具/软件:
您好、
当前规格要求适用于 8 Ω、35W 单通道扬声器。
如果在 VPVDD = 20V 的单声道设计中使用 TAS5805M、数据表显示对于 4 Ω 负载、该器件可以支持 35W
对于 8 欧姆扬声器、它可以支持多少瓦?
另外、我可以询问 IC 本身在这种应用中是否需要散热?

谢谢!
Jeff
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工具/软件:
您好、
当前规格要求适用于 8 Ω、35W 单通道扬声器。
如果在 VPVDD = 20V 的单声道设计中使用 TAS5805M、数据表显示对于 4 Ω 负载、该器件可以支持 35W
对于 8 欧姆扬声器、它可以支持多少瓦?
另外、我可以询问 IC 本身在这种应用中是否需要散热?

谢谢!
Jeff
您好:
PBTL 的主要优势是提高输出电流能力、因此 PBTL 的主要用例是使用较低的扬声器阻抗。 8 欧姆负载受电压限制的程度比此处的电流更严格。 您在 PBTL 模式下可能会看到 8 Ω 的输出功率增加、但我不相信太多、因此我们不采用该图。 您是否尝试达到某个特定规格 (8 Ω 35W RMS、PVDD = 20、1% THD)? 如果您 确认了规格、我可以在我这边测试、 也可以在这边使用 EVM 进行测试。
此致、
Sydney Northcutt
嘿、Jeff、
在我的测试中、无法使用此用例 (8 Ω、35W RMS、PVDD = 20V、THD 为 1%)。 它受电压限制、因此输出端会产生削波结果。 要获得 8 欧姆规格的 35W RMS 1% THD、您需要增大 PVDD 电压。 TAS5822M 也会出现同样的规格。 尽管这些器件能够提供高 输出功率、但需要足够的电压、尤其是在阻抗较高的负载下。
在此处获取 EVM 是否会有所帮助? 最好使用扬声器进行设置并进行测试。
此致、
Sydney Northcutt
驱动器就在这里
lpaa-android-drivers/tasdevice-linux-driver - Unnamed repository;编辑此文件“description"以“以命名存储库。