主题中讨论的其他器件:CDCLVP111、
根据 CDCLVP111的数据表、当使用 LVCMOS 振荡器时、我们会将 CDCLVP111的第二个输入偏置为进入初级输入的振荡器电压的一半。 考虑到我们的振荡器的供电电压为+2.5V、偏置电压为+1.25V、这意味着以下数据表中的输入振幅参数是+1.25V 正确吗?
如果是这样、那么说这给我们提供了与最大输入振幅相差50mV 的裕度是否正确?
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根据 CDCLVP111的数据表、当使用 LVCMOS 振荡器时、我们会将 CDCLVP111的第二个输入偏置为进入初级输入的振荡器电压的一半。 考虑到我们的振荡器的供电电压为+2.5V、偏置电压为+1.25V、这意味着以下数据表中的输入振幅参数是+1.25V 正确吗?
如果是这样、那么说这给我们提供了与最大输入振幅相差50mV 的裕度是否正确?
您好、Luis、
需要满足以下参数:VIH、VIL、VCM、VTH。 Vth 由您在上面使用的公式定义。 添加串联电阻器可能有助于减少过冲/下冲。 您还可以看到器件将如何与 IBIS 模型发生反应。
您好、Luis、
粘贴了不正确的图像 (我被另一个部分误认为)。
由于 LVCMOS 特性未在数据表中列出、我建议使用 VIH = VCC 和 VIL = 0、VCM = VTH、VTH =(VIH-VIL)/2作为您的参数。 在您的案例中:
VIH = 2.5V
VIL = 0V
Vcm = 1.25V
Vth = 1.25V
对于过冲/下冲、我建议 使用 VCC 建议的限值作为参考、但也通过 IBIS 模型确认。
LVPECL 直流电气特性表重点介绍了 LVPECL 电压摆幅(VID)、这就是将其限制为1.3V 的原因。 对于 LVCMOS、VID = 2.5V 是可以的。 如果您担心过冲/下冲、则可以使用电阻分压器电路来衰减输入。
此致、
Jennifer