Other Parts Discussed in Thread: CDCE949-Q1
大家好、
您能否检查从 VDD 斜坡(S0上拉至 VDD)到 Yx 输出的启动时间?
此外、您能否检查从 VDD 斜坡到 I2C 访问就绪所需的等待时间。
此致、
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Other Parts Discussed in Thread: CDCE949-Q1
大家好、
您能否检查从 VDD 斜坡(S0上拉至 VDD)到 Yx 输出的启动时间?
此外、您能否检查从 VDD 斜坡到 I2C 访问就绪所需的等待时间。
此致、
您好 Hirai、
1.我将假设您的器件处于 VDD 高电平- 1.8V、VDDO 也处于高电平- 3.3V 或2.5V 您的问题与写入位本身有关- I2C、对吗? 在这种情况下、我们可以使用数据表第5页的"SDA/SCL 时序要求"图11计算时间量(以下示例:最大快速模式):
寄存器= 79
写入一个字节需要29个周期
时间= 1/400kHz = 2.5us
总 I2C 时钟时间=寄存器 x 周期数 x 时间= 5727.5us = 5.7275ms (所有寄存器写入的最快速度)
2.假设我们在 VDD、访问 I2C 应该没有延迟。
3.关于您最近的问题,您能否进一步探讨这个问题? 地址0x02[3:2]控制 Y1_ST0禁用或启用 Y1、请参阅 CDCE949-Q1的第16页。 Y1禁用为低电平是一个选项、但我不清楚问题是什么。
Aaron - San、
对于第一个问题、我想知道的不是 I2C 时间。
我想知道的是 从 VDD 斜坡(S0具有 VDD 上拉电阻、因此它同时变为高电平)到默认 EEPROM 设置下的 Y1输出的时间。 请假设 VDDOUT 同时斜升或已稳定在3.3V。
对于第三个问题、我想知道每个输出是否只能由 I2C 控制启用/禁用。
例如、VDD 和 VDDOUT 是稳定的、S0 =低电平、然后将0x02[3:2]从01b (三态、默认值)更改为10b (低电平输出)或11b (启用)。
此致、
您好、Hirai-San、
我能够比我预期的更早地进行测试、希望这对您有所帮助!
查看 Y1输出的 VDD 触发器、我看到的时间范围是320ms 至370ms。 很抱歉、我花了一段时间才知道需要什么!
3.输出可以通过 S0和 I2C 正常启用/禁用、S1/S2也可以用于引脚控制、但需要更改 EEPROM -请参阅第10页和第11页的"控制端子配置"一节了解更多信息。