请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：CDCUN1208LP 我想检查我是否理解数据集的正确位置。
我的用例如下：
I - LVDS 输入(IN1P 和 IN1N)；
II- 8 LVDS 输出
II- VDD 和 VDDOx = 1.8V
IVA -输入频率5MHz、方波
IVB -输入频率突发为160MHz (67%有效、33%空闲)
根据数据表中的表14做出以下假设。
1- IDEV 是内核(即 VDD)电流、它不依赖于 fout 和 fin。 该表假设输入为 LVCMOS (ITTP 打开)、但 LVDS 输入不应显著影响 IDEV。
2- ILVDS 是每个输出电流(即 VDDOx 总电流的一半)、不依赖于 fout 和 fin。
因此、我使用了 IDEV = 80mA、ILVDS (总计)= 8 * 9mA = 72mA。 因此、器件总电流消耗为152mA。 我假设电流在静态(即无 fin)和上述 IVA 和 IVb 中所述的正常运行之间没有显著变化。
因此、我的第一个问题是上述假设是否正确。 如果没有、如何确定电流消耗？
我的第二个问题是该器件的典型电流消耗是多少？
