• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 177 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMK04610：LMK04610 CLKOUTx 驱动模式与 IBIS 选项

admin
Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK04610

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/803571/lmk04610-lmk04610-clkoutx-drive-mode-vs-ibis-options

器件型号：LMK04610

您好！

我希望有人能帮助我解决 LMK04610数据表中有关 CLKOUTx 驱动模式和 IBIS 文件 clkout 模式相关选项的一些困惑问题。

数据表第7.10章描述了4个输出选项：4/6/8mA HSDS 和16mA HCSL。

寄存器映射说明显示5个选项(例如寄存器0x34 OUTCH1_DRIV_MODE)：4 / 6 / 8 mA HSDS 和8 / 16 mA HCSL (各自的设置为 0x10 / 0x14 / 0x18 / 0x3B / 0x3F)

IBIS 文件显示7个选项：

clkout_CML 1.8V 数字输出|16mA HCSL/CML 配置 Rload 为100 Ω
clkout_hsds_8m 1.8V 数字输出|8mA HSDS 配置 Rload 为100欧姆
clkout_hsds_6m 1.8V 数字输出|6mA HSDS 配置 Rload 为100欧姆
clkout_hsds_4m 1.8V 数字输出|4mA HSDS 配置 Rload 为100 Ω
clkout_25_8m 1.8V 数字输出|8mA HSDS 配置 Rload 为25欧姆
clkout_25_6m 1.8V 数字输出|6mA HSDS 配置 Rload 为25欧姆
clkout_25_4m 1.8V 数字输出|4mA HSDS 配置 Rload 为25欧姆

*上述 IBIS 文件表中的 Rload 100欧姆或 Rload 25欧姆实际上意味着什么？ HSDS 是否应始终端接100欧姆？

*请有人解释哪个 IBIS 模式属于哪个 OUTCHx_DRIV_MODE 设置？ clkout_cml 显而易见、但其他的情况如何？

*为什么 IBIS 选项中缺少 HCSL/CML 8mA 设置？

*理论上、OUTCHx_DRIV_MODE 可以有64种不同的设置(0x00 - 0x3F)。 数据表中仅描述了其中的6个。 如果我使用未描述的值、结果会是什么？ 例如、是否启用数据表中其他地方无法找到的"Rload 25ohm"选项？

此致、

Paul

  • 0
    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Paul、

    1. Rload 100Ω 或 Rload 25Ω 描述了驱动器输出级中使用的内部终端。 我同样感到困惑的是、为什么 HSDS 驱动程序存在25Ω Ω 的负载模式、尤其是因为它似乎是为 HSDS 驱动程序披露的唯一可用设置。 我正在研究这些设置的来源、当我有更多信息时、我将发布另一个回复。
    2. Rload = 25Ω Ω 的 HSDS IBIS 模式对应于数据表中提供的 HSDS 模式。
    3. 不确定为什么 IBIS 选项中缺少 HCSL/CML 8mA。 深入了解。
    4. 请注意、数据表中未记录的设置没有相应的电气特性、因此所有设置可能无效。 但一般情况下：
      1. OUTCHx_DRIV_MODE[5：4]设置输出缓冲区类型。 00 =关闭；01 = HSDS；11 = HCSL；10 =保留(未使用)
      2. OUTCHx_DRIV_MODE[3：2]设置驱动器强度。 00 = 4mA；01 = 6mA；10 = 8mA；11 = 16mA
      3. OUTCHx_DRIV_MODE[1：0]设置内部终端。 00 = 25Ω μ A；01 = 50Ω μ A；10 = 100Ω μ A；11 =开路

      数据表中列出的唯一模式是内部端接设置为00 (25Ω)的模式。 因此、可以使用未描述的值、但此时不建议使用、因为未指定性能特性。

    此致、

  • 0
    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Derek：

    感谢您的快速而清晰的回答。
    除了我认为您交换了 OUTCHx_DRIV_MODE[3：2]和 OUTCHx_DRIV_MODE[1：0]的定义外、现在设置更有意义。 现在至少我知道如何将我们的 SI 分析结果与特定设置相关联。

    在事后看来、可以在 OSCOUT_DRV_MODE 说明(寄存器0x31)中找到线索。 但输出缓冲器类型的编码与 OUTCHx_DRIV_MODE 缓冲器类型的编码不同。 因此、当我尝试将 OSCOUT 设置与 OUTCHx 设置相关联时、这会使我处于错误的位置。 您能否确认输出缓冲区类型的编码对于 OSCOUT 和 OUTCHx 确实不同(对我来说似乎有点不合逻辑)？

    如有任何有关此内容的额外信息、请访问。

    此致、
    Paul
  • 0
    TI__Guru**** 2502205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Paul：

    您绝对正确、我交换了 OUTCHx_DRIV_MODE[3：2]和[1：0]。 [3：2]控制输出电流、[1：0]控制内部端接。 我将在上面编辑我的回复、以帮助任何人将来参考此主题。

    OSCOUT_DRV_MODE 设置还包括 LVCMOS 缓冲器类型、并且 OSCOUT 和 OUTCH 寄存器之间的缓冲器类型编码不等效。 根据数据表、还有其他差异、例如 XX11XX 将 HSDS 编码为8mA、将 HSCL 编码为16mA、或将所有 OSCOUT HSDS 终端设置为开路。 差异是特殊的，但确实存在。

    对先前问题的更新：从技术角度来看、没有任何因素妨碍对 OUTCHx_DRIV_MODE 使用其他有效配置。 TICS Pro 和数据表中提供的值为数据表中测试的情况提供了最佳性能、排除其他端接似乎更多地涉及发布计划、而不是性能差异。 同样的推理似乎也适用于 IBIS 模型中的案例选择。 将来向 IBIS 模型添加更多输出格式可能是一项值得改进的工作、但目前我们提供的模式就是这些模式。

    此致、