您好:
我将撰写一篇有关现代低噪声合成器设计的三篇文章系列、以供在主要行业期刊中发布。 我计划将 LMX2595作为具有集成式 VCO 的低噪声合成器 IC 的出色示例、并结合其他选项、例如使用出色外部 VCO 的合成器。
因此、我一直在仔细检查其噪声性能、并注意到报告的归一化本底噪声中似乎是一致的数据表误差、它表示分频器和电荷泵施加的相位噪声限制。 在1/f 转角之上的归一化底限平坦部分被给出为 Pn1hz =-236dB、这是一个非常低的数字。 这是我了解的任何部分最好的。
使用此归一化底板 Pn1hz、应通过 Pnflat = Pn1hz + 20log (Fvco/FPD)+ 10log (FPD)= Pn1hz +20log (Fout)- 10log (FPD)给出环路带宽内的平底板。
但是、当我将此计算与图3至11的相位噪声图中显示的噪声进行比较时、我注意到环路带宽内大约20kHz 至200kHz 的平坦噪声始终过高约8dB。 它的计算就像归一化品质因数应为-228而不是-236一样。 这仍然是一个很好的数字、但正如数据表现在所示、这不是市场上最好的数字。
这可能是由晶体基准本底噪声引起的、但这种可能性与相位噪声图中显示的噪声行为不一致。 在100MHz 基准下、从20kHz 到200kHz 的晶体底限大约为-151dBc/Hz、以在环路带宽底限中生成这种更高的基准、这不是较高等级基准的典型值、除非其输出已填充。 但是、相位噪声图中的1/f 噪声仅以10dB/十倍频的速率上升、因为偏移频率降至10kHz 以下、降至100Hz 的图形限值。 它没有被晶体基准显著降级。 这将表示一个出色的100MHz 基准、例如、在100Hz 时显示大约-135dBc/Hz、以将100Hz 时的相位噪声降低1dB。 这是可行的、但对于100MHz 石英晶体基准而言、它是最先进的性能、成本在400美元及以上的范围内。 此类高质量基准通常在20kHz 至200kHz 的相关频率范围内具有-165至-185dBc/Hz 的本底噪声、而不是会导致相位噪声图中产生本底噪声的-150范围。
我注意到、基于-129 1/f 归一化品质因数的1/f 相位噪声计算正是图形所示的、因此1/f 模型非常精确。
出现这些问题:
1、 使用了什么晶体基准振荡器来获取 LMX2595数据表中相位噪声图中显示的数据?
2. 晶体参考的输出是否已填充、使其本底噪声恶化?
3. 该部件经证实的归一化本底噪声是多少? 数字-236是实际测量的、还是仿真、计算还是推断的? 是否可以提供此数字中的典型生产扩展?
4. 是否有计划将 LMX2595的出色标准化本底噪声引入使用外部 VCO 的器件? 如果确实存在-236左右、则德州仪器可能会拥有市场上最好的外部 VCO 合成器产品、以补充看起来最好的内部 VCO 产品。
谢谢、
Farron Dacus