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[参考译文] LMK5B12204:LMK05318BEVM、LMK5B12204

Guru**** 1809010 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK5B12204
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1214664/lmk5b12204-lmk05318bevm-lmk5b12204

器件型号:LMK5B12204

您好!

如何使用外部主机控制器对片内 EEPROM 进行编程。 由于到目前为止、TICSPRO 配置文件已针对特定频率计划完成定稿。 因此、需要按照正确的步骤顺序对此特定的配置文件进行一次性 EEPROM 编程?

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    尊敬的 Akanksh:

    LMK5B12204数据表的第9.5节提供了有关对器件进行编程的详细说明、包括如何对 EEPROM 进行编程。 通常、您可以使用 TICS Pro 配置来 导出相关的十六进制寄存器映射、并且可以由外部控制器通过 I2C 或 SPI 将该信息编程到器件中。 如果您需要更多详细信息或有其他问题、请告诉我们。

    谢谢。

    Evan Su

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    您好、Evan:

    根据我对数据表部分的理解以及 TICS Pro 应用中流程的步骤。 在从 SRAM 对 EEPROM 进行编程之前、会写入多个其他寄存器。  

      

    在从 SRAM 执行 EEPROM 程序之前、我仅发现上述步骤相关。 而 R159、R160和 R162会多次写入寄存器。 这是一个必要的步骤、因为这些寄存器的寄存器规格中的描述也不清楚?

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    尊敬的 Akanksh:

    有两种写入 EEPROM 的方法:REGCOMMIT 和 SRAM 直接写入方法。

    TICSPRO 使用 SRAM 直接写入方法写入表9-9中提到的寄存器(需要使用此方法对这些寄存器进行编程)。 然后、TICSPRO 执行 REGCOMMIT 方法。

    请参阅此详细指南、如果有任何内容令人困惑、敬请告知。

    e2e.ti.com/.../LMK5B12204_5F00_LMK05318B-EEPROM-Programming-Methods_5F00_dec-16-2022.pdf

    此致、

    Jennifer 女士

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    您好、Jennifer

    是本文档阐明了与 EEPROM 编程相关的问题。  

    现在对 EEPROM 进行编程后、默认启动序列过程会切换或写入哪些寄存器。 以下步骤是我理解的必需步骤:

    1.上电后执行软复位。

    2.读取状态寄存器以确认基准是否生效,并检查 DPLL 相位的锁定。

    3.将 SYNC_SW 从0->1->0切换。

    4.对输出执行 DCO 增量/减量(如有)。

    5.在指定的时间间隔内读取状态寄存器的基准丢失。

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    尊敬的 Akanksh:

    器件上电顺序如图10-1所示。 该器件会自动处理大部分流量、终端用户不需要为使器件开始工作做太多事情、但是对于 DPLL 等复杂器件、最好定期监控状态并在适用时使用可选功能。

    >开机后执行软重置

    我认为不需要这样做、因为从上电开始将使器件经历硬复位、并且最终进入器件块配置状态、这与软复位是快捷方式的状态相同。

    读取状态寄存器以确认是否验证了基准、并检查 DPLL 相位的锁定。

    这不是必需的、但会确认器件是否已成功锁定、这是很好的做法。

    >从0 --> 1 --> 0切换 SYNC_SW

    这将有助于同步输出、可选、但根据应用可能很有用。

    >对输出执行 DCO 递增/减量(如果有)

    我不太熟悉这个特性、但是我认为它用于在要求极高同步/精度的应用中实现精确的时钟控制。

    >在指定的时间间隔内读取状态寄存器以确认基准丢失

    这不是必需的、但是一种很好的做法、即使在启动序列之后也监测 DPLL 的行为、并在出现问题时发出警报。

    此致!

    Evan Su