工具与软件：
您好！
目前、在使用 TLC555QDRQ1的过程中、我们需要确认一些技术相关问题、如下所述：
问题1：我们使用 TLC555-Q1驱动 MOS (MOSFET、N 沟道、2.9A、100V、DMN10H170SFGQ-7)。 将10Ω 连接到 TLC555QDRQ1 OUT 引脚处的 MOS、频率约为500kHz。 在 MOS 的快速开关过程中、TLC555QDRQ1驱动电源15V 的负载接在10Ω 上。 产生的浪涌电流是否会影响 TLC555QDRQ1的 OUT 引脚？
问题2：如果考虑 TLC555QDRQ1的内部电阻、浪涌 电流是否会影响555的 OUT 引脚？
问题3：如果考虑长期使用或老化寿命、这种情况下的浪涌电流会多次影响 TLC555QDRQ1的 OUT 引脚吗？
尊敬的 Ethan：
我已在 Tina 中使用可用的 FET 仿真了电路版本。 浪涌电流似乎确实会影响输出。 因此、客户可以考虑调整 R4。 我没有 FET 型号可供使用、但以下一般指导可能就足够了。
使用10欧姆的电阻器、我看到输出端会出现较大的电流尖峰。 计时器波形确实达到逻辑电平、但您可以看到它不是方波。
增大 R4会清除输出波形(正方形更多)、并且还会将 Iout 电流限制在 TLC555可提供的10 mA 拉电流范围内。 输出电压波形提供足够的逻辑电平、如下所示。
如果 FET 正在驱动任何电感负载、您可以考虑在计时器的输出端添加 TVS 二极管、以防止输出因电感反冲而超过电源电压。 我们在 TIPL 系列中有一个有关 EOS 的系列、其中讨论元件选择。
TIPL 系列：
https://www.ti.com/video/series/precision-labs/ti-precision-labs-op-amps.html
运行在高频下：
在100kHz 以上很难获得准确的结果、您必须使用 PDS 中考虑传播延迟的公式来估算时序。 这些等式显示在第17页。 我已经发现对于 TPHL 和 TPLH、在我测得的单元上传播延迟为215ns。 值的变化范围最高可达30%。
您可以在下面看到、频率高于100kHz 时有显著的曲率(非线性)行为、并且计时电容器对于高频需要较小。 因此、必须良好控制电容器的容差、并考虑电路板寄生电容。 我建议使用 LCR 表来测量相关频率下的计时电容器、并在 从电路板上移除 TLC555的情况下测量电路板寄生电容。 插入该 CT 总电容时、这将在公式中给出最准确的结果。 我建议在 Excel 中使用这些公式、并插入实际测量值。 此外、您还应考虑制造商规定的组件容差。 计时电容器至关重要、应是薄膜电容或 COG/NPO 电容。 在某些情况下、电容器的容差将被指定为5%、但是在目标频率上进行测量也很重要、以获得插入的准确值。 我附上了我的示例计算器、其中包含已经插入的一些值、例如我的电路板的传播延迟和电路板寄生电容、进行演示。 请参阅下面的 Excel 工作表。 最后、在计算器中、我还计算特定频率下的占空比。 您将注意到、在本例中、它的占空比约为60%。
要尽可能减小 PCB 布局中的寄生电容、应遵循一些通用的最佳实践指南。
e2e.ti.com/.../TLC555-Equations-_2800_1_2900_-_2800_3_2900_.xlsxe2e.ti.com/.../TLC555-500-kHz.TSC
此致、
Chris Featherstone
尊敬的 Ethan：
由于此器件已有41年历史、并且任何数据均仅限于产品数据表、因此我无法提供脉冲电流的答案。
拉电流和灌电流的绝对最大值如下所示。 超出这些绝对最大值规格运行可能会造成永久性损坏。
此致、
Chris Featherstone
