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[参考译文] LMK05318B::LOS_XO &LOS_reference

Guru**** 2582405 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK05318B, LMK05318BEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1384426/lmk05318b-los_xo-los_reference

器件型号:LMK05318B

工具与软件:

尊敬的 TI:  

我目前在我们的应用设计中使用 LMK05318B、其中具有  

  • 具有40MHz 的外部 TCXO
  • 外部 PRIREF 25MHz

在 principial 这是工作正常,我得到了一个合适的锁。

读取状态寄存器时、 一切也都被锁定。

读取中断寄存器时、  

  • R19位0 (LOS_XO_INTR)被置位、即使在清除它之后也是如此
  •  设置 R20位3 (REFSWITCH_INTR)、即使在清除它之后也是如此

我想有一个提交和短期问题发生,这在状态位上不可见,但在中断位上可见。

看起来 XO 输入和 PRIREF 输入在短时间内未被限定为有效。

客户希望确认错误可能导致此问题的原因是什么? 您能帮助检查吗?

请参阅随附的 TCS 文件。

e2e.ti.com/.../forum.tcs

第页 S:在 EVM 板上运行相同的设置不会导致此错误、一切都按预期运行。

谢谢、此致

PF

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    尊敬的 PF:

    1. 看起来您附加了寄存器的 hex 文件(.txt)而不是 TICSPRO GUI 文件(.tcs)。 您能否通过转至"File -> Save (文件->保存)"共享.tcs?
    2. 能否探测 XO 输入(TCXO)? 可能是短路、或客户电路板上的信号不稳定。 如果 XO 变为无效、这将影响 DPLL 锁定、从而触发 REFSWITCH。 由于 XO 间歇性发生故障、因此器件看起来像是在保持(XO)和 DPLL 锁定(REF)之间切换。
    3. 您能解释一下他们看到了什么吗?
      1. 是... 上电 ->清除中断->等待一段时间->回读中断-> XO INTR 为0 (通过)
      2. 或者说……power-up --> Clear interrupt -> XO INTR 失败->清除中断-> XO INTR 失败->清除中断-> XO INTR 失败(基本而言、即使实时 LOS_XO 保持清除状态、XO intr 也会进行切换。)

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!  

    感谢您的反馈。  

    1. 我编辑了原始帖子、并添加了 TCS 文件、而不是 txt 文件。
    2. 这也是我的假设。 我探测过 TCXO 信号、未发现任何问题。 此外、我甚至使用了来自应用板的信号并将其馈送到 EVM 板的 XO_P 中、因此不会发生此问题。 这指出了我的电路板上的 LMK 或替代元件的一些问题的方向。
    3. 上电后、我清除中断源并直接读回。 XO_INTR 始终为1。 实际上、我从来没有看到该中断寄存器为0。 这句话、从你的角度很好地描述它:"基本上 XO intr 切换 、即使实时的 LOS_XO 保持清零。"

    当检查 OUT6 CLK 时、这"看起来"一直锁定到 PRIREF 输入。

    LOS_XO 这段短时间似乎会导致非常短的保持事件、该时间不足以满足解锁事件的要求。

    BR、PF

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    尊敬的 PF:

    1. 我使用信号发生器作为 LMK05318BEVM 的 XO 输入、测试了.tcs 文件。 我没有看到 LOS_XO_INTR 切换。  
    2. 当将 XO_P 馈送到 EVM 板时、EVM 是否使用与应用板相同的电源? 本质上、EVM 应配置为"直接 VIN/LDO"以绕过板载 VDD。
    3. 能否探测 XO 电源? 可能 XO 电源不稳定。
    4. LOS_FDET_XO_INTR 是否也在切换?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    1. 感谢您的验证  
    2. 我使用 EVM 的板载 LDO 并通过5V 电源为其供电。 我会进行测试、以便将3V3直接从我的应用板馈送到 EVM、并绕过 LDO。
    3. 您是指外部 TCXO 的电源还是 LMK 的 VDD_XO 电源引脚的电源? 我将板载 LDO 从3V3更改为干净的1V8电源、结果仍然相同、电压容差是否存在限制? 其他问题、是否可以更改使 XO CLK 合格的监控器?
    4. 否、该位未置位。

    进一步的测试。  

    • 从 实验室电源 向应用提供干净的3V3 (在 LDO 之后)显示相同的错误
    • 为 EVM 向应用板提供 XO 时出现了同一问题

    刚刚测量了3V3_SMPS 电源轨(黄色)与1V8_LIN 电源轨(TCXO 的或电源)的频谱噪声密度(&)  

    还 测量了3V3_SMPS 电源轨(黄色)与3V3_SMPS_Bead 电源轨(LMK 为橙色、电源)的频谱噪声密度  

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    尊敬的 PF:

    1. "您是指外部 TCXO 的电源还是 LMK 的 VDD_XO 电源引脚的电源? 我将板载 LDO 从3V3更改为干净的1V8电源、结果仍然相同、电压容差是否存在限制?"
      1. 我指的是为 TCXO VDD 的电源供电。 LMK 的 VDD_XO 需要3.3V 的电压。
    2. "其他问题、是否可以更改使 XO CLK 合格的监控器?
      1. 否、无法更改 XO 的设置。 但是、由于您说 XO FDET 未被设置、这可能表明它是摆幅问题。 您能否探测并发送 XO_IN 引脚的示波器捕获、以查看 LMK 收到的内容。
    3. 您是否有其他解决此问题的应用板? 我想知道应用电路板上的 LMK 是否焊接不当。 是否可以使用新的 LMK 芯片进行检查?
    4. 关于频谱噪声密度图、我不考虑 LMK 电源上的噪声、因为由于在电源引脚上集成了 LDO、LMK 具有出色的 PSNR 性能。 我会更考虑使用 XO、因为由于电源引脚上缺少内部 LDO、它们通常对噪声敏感。 您能否说明一下用来捕获这些频谱噪声图的仪器?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!  

    1. 和4.  今天、我使用来自 EVM LDO 的电源在应用板上为板载 TCXO 提供了同样的不良结果。 在这种情况下、电源应该非常干净。 测量仪器为 E5055A。
    2. 示波器图已附加。 使用有源探头进行测量、TCXO 由3V3供电、LMK 目前使用50R 进行内部端接(如果没有使用分压器进行端接、则会产生相同的 XO 结果)
    3. 我们的大多数电路板都存在该问题、有些电路板设置了 LOS_APPL1、但 LOS_XO 未设置。

    我最想知道的是、即使使用来自 EVM 的所有电源轨和来自 EVM 的 TXCO、并将所有这些馈送到应用板、LOS_XO 位也会被设置。

    一个愤怒的观察,这是奇怪的。

    当 I 读取 R19 = 0000 1001 (LOS_XO 和 LOL_APLL2 (停用))时

    现在我修改了 R17 = 0001 1101 -> 0000 0000 (这应该会改变中断寄存器 R19的极性)

    再次读取 R19 (并事先清除)= 0001 0101 (这意味着现在仅设置 LOL_APLL2)

    编辑:同时我发现20个电路板中有一个、LOS_XO 位没有被设定、并且一切都按预期运行、但是这种情况只在15-20分钟后才发生、并且很难重现、并且只在重新启动后才发生。 不确定什么可能导致这种情况。

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    尊敬的 PF:

    1. 感谢您澄清用于采集数据的仪器。 我目前没有看到电源问题是导致该问题的原因。
    2. 您共享的图正在 LMK 的 XO_IN 引脚上探测?
    3. 您能否将所用的 LMK05318B 原理图连接起来?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    是的、直接在 XO_P 输入端探测这些图。

    请参阅随附的原理图。

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    尊敬的 PF:

    我也没有看到原理图有任何令人惊讶的错误。

    您能否提供 PDN、3V3和1V8电源轨的启动示波器图? 我想确保斜坡时序正确发生。

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!  

    请参阅随附的斜坡时序的屏幕截图。

    黄色= 3V3_SMPS (VDDIN、VDD_PLL1、VDDPLL2、VDDDIG)

    蓝色= 1V8_LIN (VDDOx)

    绿色= 3V3_LIN (TCXO 的电源)

    红色= PDN (使用内部100kr 以及一个外部 C)

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    尊敬的 PF:

    我已经与我的团队进行了讨论、我们还需要您检查以下事项:

    1. 您的电路板是否有电流限制?
      1. 检查的一种方法是探测每个 VDD 和 VDDO 引脚(包括外部 XO)。 它们都读取3.3V 还是1.8V? 我们建议使用示波器进行检查、因为它可以提供有关是否发生纹波或意外脉冲的见解。
    2. 当使用电路板的电源为 EVM 供电时、是否还有其他器件连接到系统? 如果您将其他器件断电而仅为 LMK05318B 供电、结果是否存在差异? 如果将所有器件连接在一起、会怎么样?
    3. PDN 引脚需要多长时间才能达到3.3V?
    4. 您是否可以尝试对 XO 输入进行交流耦合? 在过去、我们尚未看到过直流耦合 XO 信号的问题;但是、需要检查的另一点是确保直流噪声不会被消除。

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    1. 我探测了所有电压轨、发现任何可疑情况。 还 通过实验室电源为3V3和1V8应用板供电、无改进。
    2. 我已经开始调查并关闭了微控制器的电源。 我必须将 I2C/SPI 编程器连接到 LMK 以读出状态、但看起来这种情况将 LOS_XO 中断的行为更改为 LOL_APPL1。 我明天会进一步调查,以确定这一点。
    3. PDN 需要~120ms 才能达到3.3V。 但我已经使用更高/更低的电容值进行了实验、结果没有任何效果。
    4. 这只是为了澄清。  
      1. TCXO 应通过100nF 电容馈入 XO_P
      2. XO_N 引脚应直接接地还是通过100nF 电容器连接到 GND?
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    尊敬的 PF:

    感谢您的更新。 请在项目2上发布我的信息。

    1. TCXO 应通过100nF 电容接入 XO_P -->[JB]是的、但应确保电阻器的设置符合数据表规格(1Vpp 到2.6Vpp)
    2. XO_N 引脚应直接接地还是通过100nF 电容器连接到 GND? -->[JB]编号 保持至 GND、无电容器、这是可以的。

    另一个问题是、您是否在每次上电时通过 I2C 编程? 或者您是否在每次上电时使用 EEPROM 配置对 EEPROM 进行编程?

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    Jennifer、您好!  

    系统具有以下顺序:

    POWERON -> LMK 从 EEPROM 加载其配置+ SPI ->针对 µC μ s 释放的延迟复位、而且来自 LMK 的输出频率已可用

    1. 交流耦合 XO_P 未表现出任何差异
    2. 将系统更改为 ROM+I2C 模式、并从外部为 μ µC 提供正确的频率。
      1. 我将外部 I2C 编程器连接到 LMK 并加载相同的 TCS 配置、结果不错、一切正常工作。 由于 μ µC 现在从外部获得频率、因此整个电路板和其他功能也将运行。

    至少这在某种程度上是有意义的、因为 HW-CONFIG 现在对于 EVM 来说是识别的(ROM+I2C)、我在其中初始测试了所有内容并正常工作。

    但这让我有一点闭塞、在哪里查找问题或根本原因以及如何解决此问题。

    我无法使用 ROM+I2C 模式、因为电路板上没有 I2C、并且当 LMK 未以正确的频率配置(在本例中、按 μ µC 编程为 LMK)启动时、μ µC 无法运行。

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    尊敬的 PF:

    您是从哪个位置加载的 EEPROM + I2C 或一些 ROM 页( ROM + I2C )? LMK05318B 具有 EEPROM 和 ROM。 在 ROM 不是的情况下、EEPROM 可由用户修改。 在下一个数据表版本中、将弃用/删除 ROM 特性(主要是因为未使用 ROM 页、这会导致与 EEPROM 混淆)。

    如果您认为正确的频率和结果良好、您谈论的是使用 TICSPRO 中提供的配置还是 EVM 默认配置?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    默认设置为:从 EEPROM 加载+SPI -我有这个问题

    按测试将 I 更改为:从 ROM+I2C 加载(并且必须稍后通过 I2C 发送至 CONFIG)-有效

    我还试过测试。

    1. 将 EEPROM 编程到所有寄存器中的00
    2. 从 EEPROM + SPI 加载
    3. 通过 SPI 将配置写入 LMK (输出频率和锁定在那里)、但变量 LOL_APPL1和 LOS_XO 仍被置位  
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    尊敬的 PF:

    1. 不建议将00写入 EEPROM。 如果不使用 EEPROM、我建议您使用随附的出厂默认配置刻录 EEPROM。
      1. e2e.ti.com/.../LMK05318B_5F00_STD_5F00_EEPROM_5F00_CFG_5F00_v2.txte2e.ti.com/.../LMK05318B_5F00_STD_5F00_EEPROM_5F00_CFG_5F00_v2.tcs
    2. 当您通过 SPI 进行编程时、您是否已通过获取寄存器转储读回并将其与预期文件(尽管忽略只读寄存器)进行比较来确认寄存器已正确写入?
    3. 借助外部 I2C 测试、您可以尝试使用 EEPROM + I2C 进行测试吗? 如果 ROM + I2C 可以正常工作、那么 EEPROM + I2C 不会正常工作的原因。

    此致、

    Jennifer

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    您好、Jennifer、明天检查您的建议。

    是否还有一个"默认"ROM 配置、您可以在此处将其作为寄存器格式共享并将其加载到 EEPROM 中?

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    您好、PF、请使用上述 txt 文件作为要使用的默认配置。

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!  

    1. 只需将您的文件刻录到 EEPROM、然后根据我的应用程序设置进行重新配置、没有区别。  
    2. 还针对我的设置向 EEPROM+I2C 进行了检查、一切都运行正常。
      1. 保持相同的 EEPROM 融合并更改为 EEPROM+SPI 启动再次显示要设置的 LOS_XO/LOS_APPL1位。
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    尊敬的 PF:

    您是否进行了文件比较以确认 SPI 写入操作正确?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    是的、SPI 读取文件与编程的文件匹配。  

    进行读取和比较会产生以下差异。

    e2e.ti.com/.../Untitled.txt

    最新动态:  

    1. 我通过现有的 µC 修改了应用 PCB、使其与 EEPROM+I2C 兼容、并更新了相关的驱动程序。
    2. 将配置刷写到 EEPROM 中并从 EEPROM 启动->未设置错误位
    3. 改回 EEPROM+SPI (只是将 HW_SW_CTRL 从0更改为悬空)会导致设置各种错误位

    在这种情况下、刷写是由 I2C 完成的、从 EEPROM+I2C 启动没问题、而从 EEPROM+SPI 启动则不起作用。

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    尊敬的 PF:

    请确认以下信息:

    1. 上述寄存器文件比较了 EEPROM 编程后的预期值和下电上电。
    2. 您是否遵循列出的注释、其中 HW_SW_CTRL、STATUS0和 STATUS1必须在 PDN 之前悬空或偏置到 VIM? 您能否捕获与 PDN 相比这些引脚斜升的示波器快照?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!  

    请参阅所附上述信号的启动。

    全部器件在 PDN 释放之前从0.8V 开始、但 STATUS0和 STATUS1在 PDN 达到1.2V 之前降至0V

    我这边不使用 STATUS0/1、而只是连接到 PU/STATUS、PD 如原理图中所示。

    绿色= PDN

    蓝色= HW_SW_CONTROL

    红色=状态0

    黄色=状态1

    白线= 1.2V

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    尊敬的 PF:

    您能否尝试将 HW_SW_CTRL、STATUS0和 STATUS1悬空而不是对0.8V 偏置使用分压器?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    将这些引脚悬空时没有区别。

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    尊敬的 PF:

    STATUSx 引脚是否也会像波形捕获中一样下降电压(在将 HW_SW_CTRL 和 STATUSx 引脚悬空时)?

    此致、

    Jennifer

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    Jennifer、您好!  

    请参阅附加的测量(在 STATUS0/1悬空和保持 PD HW_SW_CTRL 的 PU/FPU 时)。

    悬空时、所有引脚:STATUS0/1和 HW_SW_CTRL

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    尊敬的 PF:

    感谢您检查斜升电压。

    7月23日、回到您的消息、我看到您说"SPI readaout 文件与编程文件匹配"。 但是、我在您共享的.txt 文件中看不到寄存器匹配的情况。 您能否说明一下、当您看到寄存器回读与所需配置匹配时以及何时不匹配?

    此致、
    Jennifer

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    Jennifer、您好!

    刚刚通过 I2C 将配置刷写到 LMK 中、然后通过 I2C 运行、运行正常。
    保持相同的 EEPROM 并以 SPI 模式引导确实会再次显示该错误。

    因此、我可以假设编程的配置正常。