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部件号：TMS320F2.8379万D 主题中讨论的其他部件：controlSUITE，
工具/软件：Code Composer Studio
您好，
我正在使用TMS双核控制器。 我在第二个内核中刻录代码时遇到了问题。 作为参考，我正在为两个内核使用ControlSuit双内核盲示例代码。 我可以在第一个内核中刻录代码，没有任何困难，代码也运行良好，但在第二个内核中，我会看到有关代码失败的备注-
内存映射初始化完成
C28xx_CPU2：如果在一个内核上执行擦除/程序(E/P)操作，则另一个内核不应从共享RAM (SR)执行，因为它们用于E/P代码。 此外，CPU1将停止以确定将运行Flash插件代码的CPU的SR所有权，之后CPU1将被设置为运行其应用程序。 在对两个闪存库进行编程后，可从SR开始执行用户代码。
C28xx_CPU2：闪存操作期间发生错误：没有内核与模式'CPU1'匹配
C28xx_CPU2：为闪存操作设置GSxMSEL寄存器时出错
C28xx_CPU2：闪存操作期间发生错误：执行wr_PLL.ALG时等待目标停止超时
C28xx_CPU2：写入PLL值时出错(闪存算法超时)。 操作已取消。
C28xx_CPU2：闪存操作期间发生错误：没有内核与模式'CPU1'匹配
C28xx_CPU2：文件加载器：内存写入失败：未知错误
C28xx_CPU2：GEL：文件：D：\projects\linky_dc_pu02\CPU2_flash\linky_dc_cpu02.out：加载失败。
C28xx_CPU2：闪存操作期间发生错误：没有内核与模式'CPU1'匹配
C28xx_CPU2：为闪存操作设置GSxMSEL寄存器时出错
请帮我解决这个问题。
此致，
Shahina。
