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器件型号：ADS1291 工具/软件：
尊敬的 TI 团队：
我们目前正在使用开发一个项目 ADS1291 单导联 ECG 器件的两个测量点 干电极 配置为 RA、LA 和 RL。 系统由供电 3.3V 数字电源 和 A 3.0V 模拟电源 。
ECG 波形采集功能正常。 我们现在正处于启用过程中 交流导联脱落检测 这是因为干电极的性质。 以下是当前使用的相关寄存器设置：
writeRegister (0x1、0x03)；
writeRegister (0x2、0xE0)；
writeRegister (0x3、0xf5)；
writeRegister (0x4、0x00)；
writeRegister (0x5、0x00)；
writeRegister (0x6、0x23)；
writeRegister (0x7、0x03)；
writeRegister (0x8、0x40)；
writeRegister (0x9、0x02)；
writeRegister (0xA、0x03)；
writeRegister (0x2、0xE0)；
writeRegister (0x3、0xf5)；
writeRegister (0x4、0x00)；
writeRegister (0x5、0x00)；
writeRegister (0x6、0x23)；
writeRegister (0x7、0x03)；
writeRegister (0x8、0x40)；
writeRegister (0x9、0x02)；
writeRegister (0xA、0x03)；
在监控LOFF_STAT[4:0]寄存器时、我们观察到以下情况：
-
0x17 接触电极时的 ESD
-
0x01 触碰 RA 和 RL 时
-
0x00 轻触 LA 和 RL
-
0x00 静电放电
我们遇到的问题是器件无法区分 LA + RL 条件和 已正确连接所有电极 、这两个结果的LOFF_STAT值均为0x00。
从数据表中可以清楚地看出 直流导联脱落检测 使用内部比较器、其结果可通过LOFF_STAT寄存器获得。 但是、目前尚不清楚这是否也适用于 交流导联脱落检测 。
我们的关键问题是：
-
有没有 内部机制 功能 检测交流导联脱落 并反映在
LOFF_STAT寄存器中？ -
如果没有、我们是否需要 外部生成和监测 以可靠地检测？
如对如何使用干电极实现可靠的交流导联脱落检测进行任何澄清或指导、将不胜感激。
此致、
Sajin M
