工具/软件:
尊敬的团队:
在 ADS1291 的数据表中、建议为 VCAP1 使用钽电容器、但未提供该电容器的具体值。 您是否能够推荐合适的值? 目前、我们为 VCAP1 和 VCAP2 使用了 1µF 钽电容器。 我们注意到变化后噪声水平略有不同;之前、我们在 VCAP1 和 VCAP2 上有陶瓷电容器、并且切换到 1µF 钽电容器会降低噪声。
谢谢。此致
Karthik P R
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尊敬的团队:
在 ADS1291 的数据表中、建议为 VCAP1 使用钽电容器、但未提供该电容器的具体值。 您是否能够推荐合适的值? 目前、我们为 VCAP1 和 VCAP2 使用了 1µF 钽电容器。 我们注意到变化后噪声水平略有不同;之前、我们在 VCAP1 和 VCAP2 上有陶瓷电容器、并且切换到 1µF 钽电容器会降低噪声。
谢谢。此致
Karthik P R
您好、Ryan、
感谢您的答复。 由于我们使用内部基准、因此使用钽电容器是否更好? 我们打算将 C0G 电容器用于 VCAP1 和 VCAP2、但不提供 1uF C0G 电容器。 如果使用钽电容器、电容器的等效串联电阻 (ESR) 应该是多少? 数据表未指定此值。 我们的目标是使芯片实现尽可能出色的性能。 此外、VCAP1 和 VCAP2 是否是模拟旁路电容器、它们是否用作内部 LDO 的输出电容器? 您能帮助我们了解哪种选项可提供出色的噪声性能吗?
谢谢。此致
Karthik P R