[参考译文] ADS131M08：增益误差时间漂移和校准

尊敬的 Liu Qingfeng：

增益误差长期漂移 (GE LTD) 主要由内部电压基准 (Vref) 引起、因此 GE LTD 和 Vref LTD 规格 在同一封装上是相同的、因为可以看到 ADS131M08 数据表第 8 页和第 9 页上的“电气特性“表。    TQFP 和 WQFN 封装之间的内部 Vref LTD 的差异与封装应力有关、所有通道上的 GE LTD 是 相同的。 您可以使用 具有小型 GE LTD 的 WQFN 封装、或者如果 您担心 GE 上具有内部 Vref 的 ADC 问题、则可以使用外部精密电压基准。 但请注意、 随着封装、键合和裸片材料随着时间的推移而稳定、漂移会变慢并变得稳定。

BR、

Dale

尊敬的 Liu Qingfeng：

外部电压基准还具有长期漂移参数、 您可以在另一个 TI E2E 论坛（电源管理论坛）上索取参考建议 、合适的团队将为您提供帮助。

ADS131M08 没有内部基准缓冲器。 结构相似的 ADS131E08 (8 通道、24 位、同步采样 ADC) 有一个内部基准缓冲器、但具有不同的增益设置。

BR、

Dale

THX、Dale。