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[参考译文] DAC8750:DAC8750 -如何连接ISET-R端子?

Guru**** 2445440 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/569321/dac8750-dac8750---how-to-connect-the-iset-r-terminal

部件号:DAC8750

数据表显示:

图53中所示的电阻器RSET (用于将DAC电压转换为电流)确定输出电流在温度下的稳定性。 如果需要,可以将外部低漂移精密15 kΩ 电阻器连接到ISET-R端子,并使用该电阻器代替内部RSET电阻器。

这种描述在以下意义上是不精确的:

  1. 将电阻器的一端连接到ISET-R,另一端连接到什么- GND? 我猜是这样,但这一点在任何地方都没有说明。
  2. 如果我不想从外部电阻器中获益,我应该将什么连接到引脚ISET-R?
  3. "...使用ISET-R端子,而不是内部RSET电阻器":使用外部电阻器时,它们如何组合?  

图60只是模糊地有一些提示-但请注意,在这张图纸上没有引脚名称ISET-R -这很奇怪。

感谢您的澄清

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    请注意,图62可以通过在图中包括ISET-R (无论是否使用)而变得更有帮助。 从该图中,您可以猜测针脚可能未连接。 但我不想猜。 例如,请注意,DVDD-EN _is _已包含并标记为"未连接"(表示此引脚具有内部上拉)
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    Henning,

    您的反馈已记录。

    在图60中,使用内部RSET,它通过开关连接到A1 T1 /反相输入的低侧,内部RSET的低侧内部连接到接地。 正如您所注意到的,图60中未显示ISET-R引脚,如果要包括它,它只是从相同点(T1的低侧/ A1的反相输入)直接连接,如图61所示。 考虑到这一点...

    [报价用户="Henning Larsen">将电阻器的一端连接到ISET-R,另一端连接到什么- GND? 我猜是这样,但没有在任何地方描述它。[/QUOT]

    正确。 连接方案应类似于内部RSET显示的方案,基本上如图61所示,但可能不包括选配的HART输入滤波器Cin和Rin。

    [引用user="Henning Larsen"]如果我不想从外部电阻器中获益,我应该将什么连接到引脚ISET-R?[/QUET]

    由于此处没有开关用于断开ISET-R引脚与电路其余部分的连接,使其保持浮动是一个选项。 但是,将其连接到任何直流电位都可能导致某些意外性能,因此,例如,切勿将其直接连接到接地。 在可能暴露于辐射辐射的应用中,建议将此输入引脚与接地进行交流耦合,以减少可能耦合到电流输出的内容。

    HENNING Lars 说:
    "...ISET-R端子用于代替内部RSET电阻器":使用外部电阻器时,它们如何组合? [/引述]

    我不确定我是否正确理解了这个问题,但我认为它只是与文本中的一些不良措辞有关,这表明有一些使用内部和外部RSET电阻器的可能方法。 虽然这样做可能是可行的,但它至少会影响设备性能,因为输出不再像数据表中所描述的那样,因为您将有效地使用两个并联电阻器来形成电流设置电阻器。 如果此并行阻抗足够低,因此设备和负载中的电流足够高,我可以看到一些损坏的可能性。

    我希望这能解答您的问题,并感谢您的反馈。
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    谢谢Kevin,
    现在我了解了如何处理ISET-R引脚:我只需将其保持打开以供我使用。

    我关于内部和外部RSET组合的问题源于内部RSET实际上被内部开关断开的事实。 在这里,如果有一个图解说明内部正在发生的情况,将会很有用。

    您写到,在高EMI字段中,去耦未使用的ISET-R可能是一种选择-我认为必须小心这一点,因为它将使电压中的增益峰值达到T1/A1周围的电流级。

    我想补充一点,CAP1和CAP2的用法没有得到准确解释。 我可以想到:
    使用这两种方法有什么好处?
    用于计算斜率的基础设计方程式可能是一个主题?
    如图57所示,添加CAP1和CAP2将使AVDD波纹耦合到电路中,但在GND端接电容器而不是AVDD时,这是否真的正确?
    -在所有情况下,是否都有任何原因导致未端接至GND?

    图61.缺少一个点。

    此致
    Henning
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    Henning,

    您对交换机的意见已被理解。 有时,我们很容易在TI内部获得这样的信息,因为我们在开发过程中花费了大量的时间来查看器件和内部机械装置,因此有些事情对我们来说变得很明显,我们忘记了它们可能不是那么明显,所以有些人没有花钱 花了很多时间来处理零件。 这样的反馈很有帮助。

    您对ISET-R引脚上的交流耦合选项的评论是正确的。 过去,我们自己实施了这种方法,并使用非常小的电容器帮助其他遇到EMI问题的客户,而不会引起任何稳定性问题,也不会引起非常小的响铃。

    Henning Larsen 说:
    我可以补充说,CAP1和CAP2的用法没有得到准确解释。[/QUOT]

    在很大程度上,这些引脚的包含是客户要求与市场上实施此类引脚的其他设备兼容的驱动因素。 同样,数据表中的图示配置如图所示,以便传达与其他设备类似的合规性。 您的许多积分有效。

    Henning Larsen 说:
    -使用其中一个或另一个有什么优势? [/引述]

    CAP2前面至少有一个串联电阻器,因此您可以形成真正的R/C滤波器,而CAP1基本上只是连接一个大电容器。 如果不是针对合规性请求,那么只有CAP2很可能就是实施。

    Henning Larsen 说:
    -计算斜率的基础设计方程式可能是一个主题?[/QUOT]

    我不清楚CAP2连接前面的串联电阻器的绝对值是多少, 但是,如果您想帮助您为使用CAP1 / CAP2可能实现的筛选器的时间常数定义更好的公式,我可以研究一下。 片上电阻器能够很好地进行比例匹配,但是绝对值在20 % 之间变化。

    [引用用户="Henning Larsen"]-如上图57所示,添加CAP1和CAP2将使AVDD波纹耦合到电路中,但在GND端接电容器而不是AVDD时,这是否真的正确?  
    -在所有情况下,是否都有任何原因导致未端接至GND?  
    [/引述]

    如我上文所述,这些图示也是为了传达合规性。 将这些引脚连接到GND可实现与AVDD连接相同的所需滤波器属性,同时避免上述PSRR折价。 如果我认为使用了CAP1/CAP2销,这是一个明智的决定。

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    再次感谢您的全面和快速回复。 关于CAP1,CAP2设计,我拥有所需的信息。 这种"奇怪"的设计带有两个很大程度上冗余的筛选器,缺乏很好的解释,因此您对合规性的回答使这一点变得很清楚。

    ..不要忘记在下一个数据表修订版中添加点:-)
    Br Henning
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    Henning,

    很高兴我能帮助解决这些问题。

    我将记住数据表下一版本的更新。 我想我刚刚收集了足够的材料,需要对PDS进行另一次更新。 感谢您的意见。