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[参考译文] LM9.864万：ADC，AFE LM9.864万测试条件

admin
Guru**** 2555550 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/605419/lm98640-adc-afe-lm98640-test-condition

部件号：LM9.864万

在LM9.864万规格 数据表中，我们可以找到 动态参数“SNR”的测试条件是“FS=5MHz”或  “FS=15MHz”或  “FS=25MHz” 或  “FS=40MHz”(S/H模式)，但现在我不知道Fin是什么。

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    TI__Guru**** 2555550 points
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    我想知道详细测试条件。
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    你好

    感谢您联系我们。 我将请 支持此设备的应用工程师回答您的问题。

    詹姆斯

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    您好，

    这是每个像素一个样本，可以调整样本的两个边缘，以便与像素信号对齐

    此致，
    Costin
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    我的测试是关于S/H模式。输入信号是纯正弦波，而不是CCD信号。我想知道动态参数"SNR"的详细测试条件，例如每个fINCLK的模拟输入频率。
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    TI__Guru**** 2555550 points
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    我的测试是关于S/H模式。输入信号是纯正弦波，而不是CCD信号。我想知道动态参数"SNR"的详细测试条件，例如每个fINCLK的模拟输入频率。
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    您好，

    SNR在第一个尼奎斯特区域中显示的4个频率下进行测试。
    SNR由设计和/或特征参数指定，不经过测试。

    此致，
    Costin
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    现在测试或指定SNR？ 和其它动态参数? THD，SFDR，SINAD，ENOB等
    如果是FS，则在第一个Nyquist区域中显示的4个频率。 我想知道每个FS的翅片。
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    TI__Guru**** 2555550 points
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    我很抱歉，到目前为止，我还没有收到满意的答案。
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    您好，

    有两种LM9.864万类型的零件，均处于活动状态。 其中一个区别是封装，68pin VQFN和68pin CFP for the Space version( LM9.864万QML)
    在我之前的回应中，我是指塑胶版。 此版本的SNR在每个指定的Finclk的额定条件下进行定性，LM9.864万在Fin位于第一个Nyquist区域时满足每个列出的Finclk的典型SNR数据表。
    您是否正在查找德州仪器(TI)的SNR测试和LM9840表征详细信息(使用的确切频率)？

    此致，
    Costin
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    TI__Guru**** 2555550 points
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    首先，感谢您的回答。

    然后，我正在寻找  用于TI SNR测试的精确模拟输入频率和LM9840特性描述的详细信息。

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    TI__Guru**** 2555550 points
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    LM9.864万 AFE设计用于5MBs至40MBs采样率。 测试和表征是在该频段的4个采样频率下完成的，测试设置的输入频率接近第一个尼奎斯特区的最大值。 SPEC典型信噪比受时钟采样速率抖动与输入频率的影响，在较低的输入频率下会更好。基本上SNR与输入频率符合规格SNR典型值，整个规格采样速率的变化小于1dB。 测试所用的实际输入频率是根据设置条件，FFT长度，过滤器类型...定义的，以便最大程度地减少由于侧凸角和其他因素造成的噪声基底问题。
    您的应用中的采样率和输入频谱是多少？

    此致，
    Costin
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    输入正弦波的VIN为-1dBFS？
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    您好，

    我不确定我是否理解您的要求。
    规格SNR条件包括：额定Vdd33/Vdd18和ADC输入，最高达ADC满刻度。 输入电平是PGA和CDS增益设置的函数。

    此致，
    Costin
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    我要问 的是 S/H模式下的输入模拟信号电平。-1dB？还是其他？ PGA=1X，CDS=1X？

    否则  ，DNL测量中的输入模拟信号超过满刻度还是不超过 满刻度？  

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    TI__Guru**** 2555550 points
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    您好，

    当PGA增益=1x且CDS增益=1x时，全刻度范围为2Vp-p差分。 这是从代码0到1.6383万 (满刻度)的ADC输入电压范围。 OSX+/-应在电源范围内，范围不应超过VSS33+200mV至VDD33-200mV。
    测试INL和DNL的所有代码设置(从最小值到最大值) 为了获得准确的结果，ADC稍微驱动过大。

    此致，
    Costin
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    首先，谢谢。

    " ADC驱动过大"的含义是什么？  或者如何实现  "ADC略微驱动过度"？

    2.当我测试时， 如果inupt级别刚刚超过2Vpp，或输出 代码刚刚为0/1.6383万，DNL结果会立即出错。您可以看到下图。

    3.通过一系列测试，我发现 用于生成OSX的分压电阻器-通用电压会严重 影响S/H模式下的动态性能。例如  ，20K欧姆的R18和R19在欧姆板上不能在FS=40MHz内工作，但1K EVM可以工作，动态性能将 会更好，100欧姆。 您如何准确选择 分压器电阻 值？  我的OSX-电压是1.65 V，OSX+电压是2.65V，PGA=1X，CDS=1X。

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    您好，

    在我看来，如果您在R18/19=100欧姆的情况下获得最佳结果，那么正弦波发生器的端接不是50欧姆。 在输入SMA附近使用50ohm端接(R18/19=20kohm)，或使用R18/R19进行50ohm端接。如果可能，示波器检查OSX-处的输入信号。
    固件是否补偿正弦波的非线性概率密度(在高ADC和低ADC代码下较高)？
    如果Vin=2Vpp，则任何系统偏移都会导致代码丢失。当Vin略宽时，从1到2^N-2的所有代码将可用于DNL和INL计算。

    此致，
    Costin
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    如评估板所示，当R1=50ohm和C2连接且R18=R19=20kohm和OSX+=VCLP=2.65V，CLPIN=0V时，EVM无法在S/H模式下工作。

    通过示波器观察，我发现通用电压1.65V不能保持，它将被OSX+的2.65V覆盖。然后，降低电阻，当R18和R19小于1Kohm时，通用电压1.65V可以保持。电阻越小，动态性能越好。

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    您好，

    很抱歉延迟重放。 我假设您使用VIN=2Vpp，CDSgain=0dB PGAgain=0dB进行检查。

     当VIN=2Vpp，CDSgain=6dB PGAgain=0dB时会发生什么情况？  

    您是否有OSX示波器图片？ 根据我的理解，在OSX- VCM = 1.65V Vdiff_pp=2V时，R18/19=100ohm，什么是VCM和Vdiff，R18/19=20kohm？

    谢谢！

    Costin

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    在我之前的消息中输入错误：Vin应为1v
    VIN=1Vpp，CD增 益=6dB PGAgain=0dB

    谢谢！
    Costin
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    OSX-VCM = 2.04V，OSX+=VCLP=2.58V（regiter0.01万=01111001）111.1001万），VDIFF_pp关闭至2V，输出代码从0至1.2986万，平均代码为5465，R18/19=20kohm。
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    现在，关键字是OSX- VCM在R18=R19=20kohm时不能保持1.65V，但在R18=R19<2kohm时可以保持
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    如何获取CDSgain = 6dB？仅CDSgain可以设置为1x或2x
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    感谢您提供数据
    Costin
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    您好，

    查找ME操作系统泄漏电流(明显高于电阻分压器电流)，这是基于数据表的可能。
    我的建议是使用低值电阻器。
    ADC结果与测量的输入cm电压一致

    谢谢！
    Costin
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    您好，

    6dB是2x，这是reg0基线1中的位2

    此致，
    Costin
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    我想知道 数据表规范中的动态参数是否 由 TI的评估板LM9.864万CVAL进行了测试？

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    您好，

    EVM主要是为主要的AFE应用而设计的。
    该零件同时投入生产，下周我会告诉您是否/我发现了什么。


    此致，
    Costin
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    我正在等待您的好消息。最好找到EVM原理图以进行规范测试。

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     有没有关于设计规格测试板的新闻？

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    您好，

    样品脉冲有多宽？  采样脉冲宽度  (采样结束-采样开始) 应小于28dec，否则采样和保持可能重叠。

    使用TI实验室设置时没有其他已知测试问题。

    您是否尝试使用EVM发射器随动件隔离信号发生器？

    请回复： costin.cazana@ti.com

     

    谢谢！

    Costin