[参考译文] ADS131E08：DRDY挂起到高电平，CS固定在低电平

你好，Giovanni！

欢迎来到我们的e2e论坛！ 很遗憾听到您在使用ADS131E08时遇到问题！ 根据给定的信息，很难准确指出问题的确切内容。 在脉冲测试期间，寄存器可能存在数据损坏-在执行硬件重置之前，您是否尝试过读回寄存器，以验证它们是否按您最初的预期方式进行了编程？

我们进行了调查，发现配置是维护的，经过进一步调查，我们发现CS上的噪音导致读取错误的数据，这有时会使设备处于不同的工作模式， 在我们的应用程序中，每625us发送一个RDATA命令，每32个周期发送一个RDATA，接着是RREG命令，但如果我们将DIN固定在低水平，则问题会得到解决，因为DRDY遵循启动脉冲频率。 在以下图片中清晰明了(绿色CLK，粉红色DIN，DRDY青色，CS黄色)，我们将CS (以模拟重现问题)保持在低级别，AD两个连续RREG命令锁定设备，因为DRDY在下一个周期固定在高级别。 设备在重置前保持锁定状态。
有什么建议可以解决这个问题？ 我们是孤立的，我们有了CS的拉手。

您好，Giovanni，

您能否放大其中一个序列，以便我更好地了解DIN SCLK和DOUT？

您好，

很抱歉，我们没有更好的收购，因为DIN，SCLK，DOUT更好，但我们隔离了问题，设备锁定，因为读取的命令与我们想要的命令不同，这是由CS和DIN信号的故障引起的。 您是否有任何准则或建议来减少突发事件对SPI通信的影响？ 如果我们只是在RDATAC模式下使用DIN读取数据，一切都正常工作。

您好，Giovanni，

您可以向SPI控制线路添加可能的少量过滤。 如果您想分享您的原理图，我们可以提出建议。

以下是示意图：

您好，Giovanni，

对于双层板，您可以按照数据表中ADS131E08的布局示例操作(图69)。 在该图中，底层将是一个地面平面，顶层用于将迹线路由到芯片。 您可以在ADS131E08EVM-PDK用户指南(从第32页开始)中看到四层布局示例。 我还看到我从来没有在滤波方面给你们回过(对此感到抱歉)-你可以在CS引脚上添加一个串联电阻，电阻为100欧姆，然后将一个33pF电容器接地。

早上好，Tom，
非常感谢您的回答。

关于2层布局示例(数据表的图69)，您能否指出制造商为实现底层而提供的建议？

关于"评估板"数据表(第32页及以下)中的4层示例布局，您能否指出哪一层是内部层的接地层和VDD层？ 为了避免误解，请指明放置位置(VDD平面，GND平面和信号)。 请在下面填写
顶层>>>..................
内部第1层>>>>>..........................
第2层内部>>>..................
底层>>>..................
您能否指明制造商对PCB布局的建议？

非常感谢您的支持。

请尽快告诉我。 很紧急。

此致。

您好，Giovanni，

大多数印刷电路板设计软件允许您定义接地平面和电源平面。 通常这些组件位于内部层，ADS131E08EVM-PDK就是这样。 那里的积纸箱是：

顶层>>>.................. 信号
内部第1层>>>>>.......................... 接地(分段到数字和模拟区域)
第2层内部>>>.................. 功率(分为3.3V，5V，+/-2.5V区域)
底层>>>.................. 信号

对于ADS131E08EVM-PDK，内部的第1层和第2层被定义为'negative plane'(负平面)。 这意味着您在用户指南第33页看到的所有黑色内容都不是铜-当制作主板时，白色区域将通过电气方式连接在一起，黑色区域将不含铜，或与电源和接地隔离。 黑色线条将主要数字内容的区域与主板的敏感模拟区域隔开。

对于2层板，您的PCB设计包应允许您定义一个区域，以创建铜浇注或填充，并将其分配给特定的网名，如GND。 在这种情况下，铜将是‘正的’，PCB设计软件将知道将注入/填充连接到与定义网相关的引脚/垫上，并清除所有不是的引脚/垫。

对于具体的制造建议，主要由最终设备/应用程序管理。 您可以查看IPC-A-610和/或IPC-A-600以了解更多详细信息。 如果它只是用于一般实验室用途的通用主板，您可以与您的PCB原型制造商联系，看看他们是否有适合自己特定工艺环境的特定建议。

早上好，

我还有一个关于部件号的问题：ADS131E08。

在 µF 28 (VCAP1)上，数据表指示将一个22 µ F电容器置于AVSS。  

为电容器搜索"0805"外壳格式，我可以选择：

A) 22uF 16V；公差10 % ；温度特性：X5R (-55至+85°C，±15 %)

B) 22uF10V；公差20 % ；温度特性：X7S (-55至+125°C，±Ω 22 %)

 

您建议使用哪种电容器？ X5R的容差较小，但最高温度为+85°C？ 或者具有更大容差值但最高温度为+125°C的X7S？

更重要的是有利于电容值精度或温度范围？ 我们需要保证55°C的环境温度。

 

请尽快告诉我。

 

此致。