团队,
请回答以下问题。 我将在线提供结构图/图片:
1)定制系统中的ADS8688AIDBTR损坏:
我们正在使用ADC芯片ADS8688AIDBTR实施测量电路。
经过我们硬件的广泛测试,芯片在某些设备上被烧毁,我们无法找到损坏的确切原因。
下面,您可以找到有关我们遇到的问题以及我们如何在系统/CPCB中使用ADS8688A的详细信息和图片:
- 在所有芯片损坏的情况下,在SDO引脚和AGND网络之间发现低阻抗:芯片未损坏时约为1.5 欧姆与500k。
- 在某些情况下,电流消耗增加约10 mA,而在另一些情况下,则不明显。
- 在我们的主板上,我们将所有“模拟GND”引脚(引脚Ain_nGND,AUX_GND和REFGND )连接到同一平面。
- 因此,上述低阻抗是在SDO和“Analog GND”平面(图上的A_GND)之间测量的。
- DGND针脚连接到独立的GND平面(图上为D_GND)。
- 作为星形配置,A_GND和D_GND都通过(接口板)上的板对板连接器连接到堆栈中另一个板上的单点(GND平面)。
- 每块板上有4个ADC芯片,在我们遇到的每一个故障案例中,只有菊花链上的最后一个ADC芯片被损坏。 受损芯片上的SDO引脚连接到SPI隔离器IC
- 隔离器由相同的DVDD ADC电源(3.3V)供电连接,该电源与其它电源隔离,仅为ADC和隔离器芯片供电
下面是一些问题:
-您是否遇到过使用该ADC芯片时SDO针脚损坏以及与AGND或任何其它GND针脚短路(1.5 欧姆)的情况? 如果是,最常见的原因是什么?
输入过压是否也会导致此问题?
-建议/可接受的DGND和AGND之间的连接应该如何? 可以像我们一样连接(连接到旁边的主板1 cm 中的单个主板)吗?
- AGND与DGND的隔离程度如何? DGND和AGND之间的可接受电压(或电流,如果适用)是多少?
2) ADS8688AIDBTR内部参考电压:
我们测量的内部电压参考值与4.096V不同。 我们已在4个芯片上测量了REFIO和REFCAP引脚,结果为4.094V和1个芯片,4.093V为参考电压–参见下表。
DUT编号 |
REFIO [V] |
REFCAP [V] |
1. |
4.0.9313万 |
4.0.9319万 |
二 |
4.0.9403万 |
4.094 |
3. |
4.0.9405万 |
4.0.9408万 |
4. |
4.0.9419万 |
4.0.9429万 |
这些电压与4.096V相差近2 mV,正如我在数据表上所发现的,最大偏差高达1 mV (V (REFCAP)和V (REFIO_INT)数据表参数)。
内部电压参考针脚和REFIO针脚以及REFCAP针脚的预期压降是多少?
数据表声称,在回流焊接后,Vref电压可能会发生变化。 是否有任何方法可避免焊接后的参考电压降解? 是否建议使用任何配置文件来减轻这种影响?
提前感谢!
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