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[参考译文] ADS1299:偏置电压比电源电压高。

Guru**** 2552010 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS1299

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1100136/ads1299-high-voltage-developing-on-bias-more-than-supply-voltage

部件号:ADS1299

我有一个ADS1299,我正在使用Neuroelectronics (www.neuroelectrics.com/.../testboard)提供的电阻器网络测试EEG。 电阻网络使每个电极连接点之间的电阻为4kOhm。 我在两个点应用了2mA。 这会导致在所有电极连接点形成8V。 我这样做只是为了在一个人受到刺激时看到EEG信号。 现在我把EEG的所有通道连接到其余的节点上。 (我使用SRB1作为参考针脚。) 电阻器网络电路如下所示:  


当我向ADS1299提供+2.5V和-2.5V电源时,我可以看到偏置电压达到+3V!!! 此外,每个通道都吸入0.1mA电流。 EEG引脚上的保护电阻为2.2K欧姆。 我将保护电阻增加到1k,现在EEG通道中的电流为50uA,47kohm电流为17uA。  

我想知道ADS1299直流输入阻抗是否为~1Gohm,那么为什么使用InxP (EEG通道)添加少量kOhm电阻会降低电流。 当前不应在InxP或InxN中使用,应在NA或PA中使用。  

怀疑2:如果ads1299数据表显示直流输入阻抗1Gohm,最大输入电流=10mA。 这是否意味着我可以在其输入端为1Gohm x 10mA = 100万 V? 在这里感到困惑  

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    您好,

    根据数据表, 使用电流源时,直流输入阻抗至少为500兆欧姆,不使用导联时,至少为1G欧姆-

    关于输入电流和电压-

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    问题是为什么我的偏置电压要达到+3V,比我的AVDD+AVDD=+2.5V高0.3 ,尽管通过它的电流为0.1mA?  
    我尝试通过待机命令关闭ADS1299的电源。 偏置电压仍达到+3V。  
    我没有使用导联脱落功能。 因此直流输入阻抗为1Gohm。  

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    您好,

     您是否拥有/使用ADS1299评估套件/电路板(EVM)?

     您是否会提供示意图的屏幕截图以指明您所指的偏压电压? 您在哪里以及如何衡量?

     您是否指 BIASOUT?

     如果是,您是如何配置 LoFF_SENSP,LoFF_SENSN,BIASPx,BIASNx,BIANS_SEN, BIAS_SENSP, BIAS_SENSPN,BIASREF_INT,BIAS_AMP,BIAS_MEAS, 和 MUX[2:0] SRB1寄存器?

     您是如何连接以下 VREFP, VREFN, VCAP1,2,3,4的

    谢谢

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    我没有评估套件。  

    所有寄存器在设备通电时均按复位值保留。 它们不是由外部处理器设置的。 此外,ADS1299还会被赋予待机命令以使其保持关闭状态。  
    是的,我指的是BIASOUT引脚电压输出为+2.5V (=AVDD),此时IC仅通电(这不应该发生,因为在重置模式下,CONFIG3=60h意味着偏置电路关闭)。 在偏置电极上施加外部电压(在图中Rp电阻之后)时,BIASOUT正在形成+3V电压。  



    VREFN=对AVSS=-2.5V短路,VREFP =连接在VREFP和VREFN之间的10uF电容器。 VREFP=+2V时的电压。  

    问题在于ADS1299的电源开启,而CONFIG3=60h的默认设置是偏置缓冲器/放大器断电,为什么BIASOUT仍在电压下。 我还尝试了待机命令,但对BIASOUT电压没有影响。 这是我以上整个问题的唯一问题。  

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    引述"BIASOUT引脚电压在 IC通电时通信为+2.5V (=AVDD)(不应发生这种情况,因为在复位模式下CONFIG3=60h意味着偏置电路关闭)"

    备注:BIASREF_INT和所有 BIAS_SENSN,BIAS_SENSP寄存器的设置是什么? 您能否阅读并确认这些信息? 有时取决于电路板设计和周围噪音,意外值可能会写入寄存器,因此设计师/工程师可能需要执行初始化例行程序。 另外,您是否可以切换/PD_BIAS寄存器,打开/关闭偏置放大器并进行观察?

    引述 "当偏置电极上施加外部电压(在图中Rp电阻之后)时,BIASOUT正在形成+3V电压。 "

    备注:我认为IC不能将BIASOUT (模拟输出)用作输入。

     

    我建议使用评估板/kit (EVM)尝试相同的寄存器设置,以便与您的主板交叉/重复检查/验证。

    我还想问一下,为什么在您提供的图纸中选择"2mA"? 另外,另一种建议是,您在偏见面前所绘制的R是否可能成为 更大的阻力?

    换言之,您是否希望在更大的电阻网络上尝试更小的电流(例如,在uA或NA范围内)?

    谢谢

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    我正在使用的电阻网络由Neuroelectronics (https://www.neuroelectrics.com/solution/spareparts-consumables/testboard)提供 。这是电阻网络,在连接电极时模拟我们的头部,每个电极之间的等效电阻结果是相同的~4kOhm。  
    我给电阻网络上的两个电极节点2mA的电流是为了查看当一个人通过称为tDCS的技术(高达2mA)受到刺激时EEG如何反应。  

    您在评论中说:“我不认为IC设计为使用BIASOUT (模拟输出)作为输入。”如果人的头部已经存在高电压,而且他佩戴EEG帽该怎么办?  

    I crosschecked,BIASREF_INT = 0 (作为CONFIIG3=60h),BIAS_SENSP=00h,BIAS_SENSN=00h

    我又做了一次实验,在BIASOUT引脚上有一个高电阻,用于保护。 发现BIASOUT未开发+3V。 BIASOUT实际上是在吸收我提供的部分2mA电流,由于存在了与这些电阻相当的电阻和产生的电压,BIASOUT的电压在外部被开发为3V (而不是由BIASOUT引脚开发)。  

    所以我的问题简单地说:为什么偏置源电流或汇电流在复位模式下,即CONFIG3=60h,意味着偏置缓冲器/放大器断电。 它不应该处于高阻抗状态?  

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    引述「不认为IC是以BIASOUT(一个模拟输出)作为输入的。」如果人的头部已经存在高电压,而人戴脑电图帽又该怎么办? "

    我可能建议放置一些限流电阻器或直流阻塞电容器。  您是否在实验中使用了电极/贴片?  通常皮肤电极/贴片具有高阻抗。  TVS二极管(ESD保护二极管) 是一种齐纳二极管。 它是一种二极管,主要用于静电(ESD)对策。 它保护集成电路和其他电路免受进入电子设备的高压ESD的影响。

    根据数据表第63页-

    设计师/工程师需要根据其应用,环境,资源,约束等设计自己的患者和电路保护电路

    引述"当偏置源电流或汇电流处于重置模式时,其中CONFIG3=60h,为什么偏置源电流或汇电流意味着偏置缓冲器/放大器断电。 它不应该处于高阻抗状态? "

    您是否有其他主板或评估套件/主板(EVM)?  

    我建议使用评估板/kit (EVM)尝试相同的寄存器设置,以便与您的主板交叉/重复检查/验证。

    谢谢

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    我没有评估板。  

    感谢ESD理论,也许我的二极管不能正常工作,这可能是问题所在,否则,如果有外部电压,二极管会将电压夹到电源上,即+2.5V。 在我的案例中,它的电压为3V。 谢谢,我将交叉检查此问题。