[参考译文] ADS1299：偏置电压比电源电压高。

问题是为什么我的偏置电压要达到+3V，比我的AVDD+AVDD=+2.5V高0.3 ，尽管通过它的电流为0.1mA？  
我尝试通过待机命令关闭ADS1299的电源。 偏置电压仍达到+3V。  
我没有使用导联脱落功能。 因此直流输入阻抗为1Gohm。  

您好，

 您是否拥有/使用ADS1299评估套件/电路板(EVM)？

 您是否会提供示意图的屏幕截图以指明您所指的偏压电压？ 您在哪里以及如何衡量？

 您是否指 BIASOUT？

 如果是，您是如何配置 LoFF_SENSP，LoFF_SENSN，BIASPx，BIASNx，BIANS_SEN， BIAS_SENSP， BIAS_SENSPN，BIASREF_INT，BIAS_AMP，BIAS_MEAS， 和 MUX[2:0] SRB1寄存器？

 您是如何连接以下 VREFP， VREFN， VCAP1，2，3，4的

谢谢

我没有评估套件。  

所有寄存器在设备通电时均按复位值保留。 它们不是由外部处理器设置的。 此外，ADS1299还会被赋予待机命令以使其保持关闭状态。  
是的，我指的是BIASOUT引脚电压输出为+2.5V (=AVDD)，此时IC仅通电(这不应该发生，因为在重置模式下，CONFIG3=60h意味着偏置电路关闭)。 在偏置电极上施加外部电压(在图中Rp电阻之后)时，BIASOUT正在形成+3V电压。  

VREFN=对AVSS=-2.5V短路，VREFP =连接在VREFP和VREFN之间的10uF电容器。 VREFP=+2V时的电压。  

问题在于ADS1299的电源开启，而CONFIG3=60h的默认设置是偏置缓冲器/放大器断电，为什么BIASOUT仍在电压下。 我还尝试了待机命令，但对BIASOUT电压没有影响。 这是我以上整个问题的唯一问题。  

引述"BIASOUT引脚电压在 IC通电时通信为+2.5V (=AVDD)(不应发生这种情况，因为在复位模式下CONFIG3=60h意味着偏置电路关闭)"

备注：BIASREF_INT和所有 BIAS_SENSN，BIAS_SENSP寄存器的设置是什么？ 您能否阅读并确认这些信息？ 有时取决于电路板设计和周围噪音，意外值可能会写入寄存器，因此设计师/工程师可能需要执行初始化例行程序。 另外，您是否可以切换/PD_BIAS寄存器，打开/关闭偏置放大器并进行观察？

引述 "当偏置电极上施加外部电压(在图中Rp电阻之后)时，BIASOUT正在形成+3V电压。 "

备注：我认为IC不能将BIASOUT (模拟输出)用作输入。

我建议使用评估板/kit (EVM)尝试相同的寄存器设置，以便与您的主板交叉/重复检查/验证。

我还想问一下，为什么在您提供的图纸中选择"2mA"？ 另外，另一种建议是，您在偏见面前所绘制的R是否可能成为 更大的阻力？

换言之，您是否希望在更大的电阻网络上尝试更小的电流(例如，在uA或NA范围内)？

谢谢

我正在使用的电阻网络由Neuroelectronics (https://www.neuroelectrics.com/solution/spareparts-consumables/testboard)提供 。这是电阻网络，在连接电极时模拟我们的头部，每个电极之间的等效电阻结果是相同的~4kOhm。  
我给电阻网络上的两个电极节点2mA的电流是为了查看当一个人通过称为tDCS的技术(高达2mA)受到刺激时EEG如何反应。  

您在评论中说：“我不认为IC设计为使用BIASOUT (模拟输出)作为输入。”如果人的头部已经存在高电压，而且他佩戴EEG帽该怎么办？  

I crosschecked，BIASREF_INT = 0 (作为CONFIIG3=60h)，BIAS_SENSP=00h，BIAS_SENSN=00h

我又做了一次实验，在BIASOUT引脚上有一个高电阻，用于保护。 发现BIASOUT未开发+3V。 BIASOUT实际上是在吸收我提供的部分2mA电流，由于存在了与这些电阻相当的电阻和产生的电压，BIASOUT的电压在外部被开发为3V (而不是由BIASOUT引脚开发)。  

所以我的问题简单地说：为什么偏置源电流或汇电流在复位模式下，即CONFIG3=60h，意味着偏置缓冲器/放大器断电。 它不应该处于高阻抗状态？