您好!
针对 VCMO 负载的数据表建议值不超过100uA 和80pF。
如果 CL=100nF、Riso 的值应该是多少?
如果 Riso 太小、会产生什么后果? VCMO 输出是否会振荡?
提前感谢您的参与。
N.

This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
针对 VCMO 负载的数据表建议值不超过100uA 和80pF。
如果 CL=100nF、Riso 的值应该是多少?
如果 Riso 太小、会产生什么后果? VCMO 输出是否会振荡?
提前感谢您的参与。
N.

您好、Nicolas、
我检查了这个、我的确认是正确的。
该节点上的100nF 不会导致问题。 Vcmo 输出实际上是 ADC 内部实际使用内容的缓冲副本、因此加载电容器不会导致问题。 请注意、在交流耦合模式下运行时、Vcmo 引脚被拉至接地(这是交流耦合的选择机制)。 在直流耦合模式下、Vcmo 电压用于设置驱动差分放大器的共模。
如果需要在该放大器的输入端放置100nF 的电阻器以降低噪声、我建议选择足够大的电阻器值以提供一些滤波效果、并且足够小、以便不会因放大器的输入偏置电流而产生明显的直流误差。
下面是该器件旧 EVM 上 Vcmo 上加载的快照。
此致、
Rob
。