[参考译文] ADS1298：RLD 导出和导联脱落检测

您好、Ryan、

非常感谢您的回复。

我已经为我使用的所有电极(RA、LA、LL、C1和 RL)进行了多次 RL 电压测量、这些电极通过皮肤阻抗仿真器(每个电极的并联51k 和47nF)连接到公共点、并对与这些通道相关的 RLD_SENSP 和 RLD_SENSN 寄存器位进行了不同设置。

当所有电极连接到皮肤阻抗仿真电路时、RL 处的电压等于 AVDD/2、与 RLD_SENSP 和 RLD_SENSN 中的设置无关。

但是、对于我将其中一个电极(RA、LA、LL、C1)断开连接的测量、我注意到一些奇怪的规则：如果 RLD_SENS 寄存器中的所有位都为0、则 RL 电压接近 VDD/2。 在 RLD_SENSP 或 RLD_SENSN 中设置与我的通道相关的任何位都会增加 RL 电压。 我有点惊讶、因为我预期从 RLD_SENSP 设置位会增加 RL 电压、但从 RLD_SENSN 设置位会降低它。 为什么会这样呢？

我的测量结果汇总：

选择0位-> RL =~1.25V

所选的任意1位-> RL =~1.47V

选择的任意2个位-> RL =~1.7V

所选的任意3个位-> RL =~1.93V

所选的任意4个位-> RL =~2.16V

所选的任意5个位-> RL =~2.38V

所有6个位都与我选择的通道相关(RLDN2、RLDP2、RLDN3、RLDP3、RLDN8、 RLDP8)-> RL =~2.48V (饱和？) 我不确定是否应使用 RLDN8、Beacuse IN8N 应从 WCT 驱动。

我想、当使用来自 RLD_SENS 的5个位时、我可以减小 RLDOUT 和 RLDINV 之间的反馈电阻、使其不会接近饱和状态？ 当使用 RLD_SENS 寄存器中所需的位数时、是否有任何建议的 RL"目标"电压？

谢谢大家、Maciej