大家好、我目前正在使用一个简单的启用了 P-N 的负载开关为运算放大器供电并测量电池电压。 问题是该电路需要2个 GPIO：1个用于使能 P-N FET 负载开关、以将 Bat+连接到运算放大器端子、1个用作 ADC 输入。 虽然此电路工作良好、但我完全被绑定到该设计的 GPIO 上。
VREF =模拟电源(AVDD-AVSS) 5V-0V
建议的解决 方案：通过将 BAT+直接连接到 REFP0、并将 GND 直接连接到 REFN0、使用 REFP0和 REFN0端子来测量电池电压。 固件将在 AINx 输入之间交替使用 ADS1220 MUX 设置、并偶尔切换以读取 REFP0和 REFN0输入以测量电池电压。
关注： 虽然我相信上述解决方案会奏效、但我确实有一些疑虑、希望有人能够轻松解决或向我提供有关上述方法的警告、以避免可能的缺陷。
1) 1)使 BAT+和 GND 直接接至 REFP0/REFN0输入、即使多路复用器选择处于不同的设置、是否会有较大的泄漏路径？ 从 DS 中、我看到 VREF 输入显示了+/-10nA 泄漏是正确的吗？
2) 2) 我知道、如果将 VREF 输入与外部基准一同使用、会有一些影响、因为它会启用缓冲器(70uA)。 只需将多路复用器选择更改为(VREFP0-VREFN0 )/4即可测量电池电压(BAT+将始终小于 AVDD)，是否还会启用这些缓冲器？
3) 3)定期将多路复用器输入从 AINx 更改为(VREFP0 - VREFN0)/4设置是否存在问题？ BAT+测量的间隔比 AINx 测量速率的分钟数要大得多、而 AINx 采样速率的间隔为 ms。
主要是为了验证不会有任何不可预见的大电流泄漏路径、并确保以相对周期性的间隔切换多路复用器是安全的。 这似乎是该部件的目的、但希望在将 PCB 投入制造之前进行完整性检查。
非常感谢、
弗兰克
