大家好
如果我们问 ADS8638、您会介意吗?
我们的客户使用一个内部电压基准、 在 REF 和 REFGND 之间将电容值降低10uF。
在我们客户的电路板上、REF 电压(全部9个电路板)的结果平均为2.67V。 9个电路板的容差为±0.6%。
在数据表中、典型电压为2.5V、容差为±1.2%。
为什么会有一些差异?
然后、条件如下;
AVDD=5.0V、 DVDD=3.3V、HVDD=5.0V、HVSS=GND
此致、
大田松本
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大家好
如果我们问 ADS8638、您会介意吗?
我们的客户使用一个内部电压基准、 在 REF 和 REFGND 之间将电容值降低10uF。
在我们客户的电路板上、REF 电压(全部9个电路板)的结果平均为2.67V。 9个电路板的容差为±0.6%。
在数据表中、典型电压为2.5V、容差为±1.2%。
为什么会有一些差异?
然后、条件如下;
AVDD=5.0V、 DVDD=3.3V、HVDD=5.0V、HVSS=GND
此致、
大田松本
Matsumoto-San、您好!
感谢您在 E2E 上提出的问题。
ADS865.10数据表中的规格的特征是 HVDD=10V 至15V、HVVSS=-10V 至-15V、此外还要求 VHVDD 和 VHVSS 、10V <VHVDD - VHVSS<30V as shown in page 5 (Electrical Characteristics table) in the datasheet, 但是您客户的测试条件(VHVDD - VHVSS=5V)不符合此要求、请更换电源 并再次检查。
顺便说一下、 当在 ADS8638上使用内部基准电压时、10uF 去耦电容是很好的、另外、请将该电容靠近 REFP 和 REFGND 引脚放置以获得更好的性能。
谢谢。
此致
戴尔
Dale San
感谢您的回复!
我们的客户还有 一个问题。
我们使用以下条件进行了测试;
AVDD=5.0V、 DVDD=3.3V、HVDD=12.0V、HVSS=GND
(HVDD 从5V 更改为12V、以适应值10V<VHVDD-VHVSS<30V。)
似乎满足"10V<VHVDD-VHVSS<30V "和 "HVDD = 10V 至15V"的条件。
但是、VREF 电压为2.67V、例如
因此、除非 HVSS 在–10V 至–15V 范围内、 否则我们的客户是否无法 获得 VREF=2.5V (典型值)?
或者、如果 VHVSS=0V、它是否需要 VHVDD=15V?
VHVDD:最小值:5V 典型值:10V 最大值:15V
VHVSS :最小值:-15V 典型值:-10V 最大值:0V
此致、
大田松本
我刚刚在 ADS8638EVM 电路板上进行了仔细检查、内部电压基准与 HVDD 和 HVSS 无关、该内部电压基准在不同的电源情况下(2.5V)表现良好:不同的 HVDD/HVSS 电压、即使没有 HVDD/HVSS 电源也是如此。 对内部前端 HV 多路复用器应用了 HVDD/HVSS 要求。
再次检查数据表后、内部电压基准由 AVDD 供电、而不是由 HVDD 和 HVSS 供电、请在数据表中查看方框图、如下所示:
客户的设备肯定存在其他问题、可能已损坏。
谢谢。
此致
戴尔
Dale San
感谢你的答复。
通过将 REFGND 连接 到模拟接地、我们的客户得到 VREF 电压= 2.50V。
应更正数据表中的图37、图38中所示 REFGND 的接地连接正确。
->在 ADS86842 的数据表中,每 幅图如下所示;
图37:SINAD 与通道编号间的关系
图38:SINAD 与自然通风温度间的关系
您提到图37和图38所示的数据表是否正确?
此致、
大田松本