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在 DDC112 EVM 应用软件的"Data Summary"选项卡上、通道2A、2B、1A 和1B 如何与 DDC112数据输入 IN1和 IN2相关?
如何将数据采集长度增加到大于512点?
谢谢、
-Phil
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在 DDC112 EVM 应用软件的"Data Summary"选项卡上、通道2A、2B、1A 和1B 如何与 DDC112数据输入 IN1和 IN2相关?
如何将数据采集长度增加到大于512点?
谢谢、
-Phil
您好、Philip、
Matt、
请参阅 下面的红色部分中的我的回答。
从 DDC112数据表中可以看出、这正是我所期望的。 但是、查看 EVM 数据文件中似乎没有发生的数据。 我已将 EVM 配置为1000pF 电容器连接到 IN1和 IN2输入端、并将电容器的另一端接地(P3和 P4上的1000pF 电容器 以及 EVM 上 P11和 P12上的另一个1000pF 电容器)。 然后、我将 DDC112配置为1ms 采样率和外部集成电容器(RANGE2 = RANGE1 = RANGE0 = 0)。 我获取数据并保存到.csv 文件。 我已经附加了保存到数据文件中的数据图形、换句话说、前512个样本是通道2A、接下来的512个样本是通道1A、然后是2B、最后是1B。 您可以看到、通道2A 和1A 具有与通道2B 和2A 相似的平均偏移值。 我一直看到这种行为。 根据这些数据、我认为通道2A 和1A 是一对、通道2B 和1B 是一对。 您能否在 EVM 上确认您是否看到类似行为?
我希望 EVM 将板载 SRAM 芯片用于缓冲器。 SRAM 器件是一款16 Mb 器件(2MB)。 四个通道的20位数据需要49152位(假设每个采样为24位存储类型)。 SRAM 有足够的空间来存储~175000 24位样本@四个通道。 在我看来、EVM 上的缓冲区空间远远大于512个样本。 您能否与 EVM 开发人员联系、了解是否可以增大缓冲区大小? 我希望获得8K 点/通道或更高的积分。
我正在研究将传感器连接到 DDC112、该 DDC112提供~1nA 的电流。 我需要将信号放大~4.6e+9增益、以将满量程信号达到5Vpp D/A 为了达到这种放大水平、我计算出我需要在 DDC112上使用一个270 FF 集成电容器。 由于此类低值电容器不易获得、我将使用1pF 电容器进行测试。
对于传统运算放大器、我在低频下会看到很多1/f 噪声。 我希望 DDC112的开关电容器集成设计具有更低的1/f 噪声。 我将查看 DDC112 EVM 来测试该理论。
Matt、
感谢您的理解、它的工作原理非常完美。 在我看来、有一个16K 的采样限值、虽然不是我所需要的、但我应该能够处理这个限值。
在我之前的 TI 应用工程师生涯中、我曾讨厌客户提出的 RTFM 问题、因此感谢您努力回答这个问题。 在我的辩护中、我发现文档有点误导人。 该文档指出"nDVALID 读取:这是用于捕获数据的 nDVALID 脉冲数。" 我理解后面的词语是指这是一个延迟,然后开始取样。
如果 将来修改 SLAU234A、我建议将此语句修改为类似于"nDVALID READ:这是在每个通道上要捕获的数据样本数"的内容。 还应包括此寄存器设置和其他寄存器设置的有效限制(最小值和最大值)。
谢谢、
-Phil