你好吗?
如标题所示、我想知道对于高电流驱动应用。(使用最大限制200mA)
但我无法在应用中找到器件(R、C、TR 等)的信息。
请回复。
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你好吗?
如标题所示、我想知道对于高电流驱动应用。(使用最大限制200mA)
但我无法在应用中找到器件(R、C、TR 等)的信息。
请回复。
您好!
请查看 DAC81404EVM 用户指南原理图。 EVM 原理图具有所有值、专为100mA 负载能力而设计。
https://www.ti.com/lit/pdf/slau825
完成同样的操作后、如果您需要更多帮助、请将其发布在此处。
此致、
AK
你好吗?
我已经查看过 DAC81404EVM、 但它与数据表上的应用略有不同。
在数据表中 、它由一对晶体管和一组电阻器+电容器组成。
另一方面、您告诉我的电路需要相当大的面积、因为在3个晶体管上添加了4个电阻器和2个二极管。
因此、我们要求提供数据表中1A 应用中使用的晶体管的电阻值和产品名称。(假设 Ccomp 为470pF)
Ω、对于 EVM 电路、如果负载增加到200mA、我想问是否有任何元件限制电流、或者是否只考虑5k Ω 的电阻和晶体管的散热。
谢谢你。
您好!
电流限制通过 EVM 中的电阻器4.99欧姆和晶体管 Q2来实现。 当负载电流高于120mA 时、电阻器上的压降将高于0.6V、这将打开晶体管 Q2并限制电流。
数据表显示了基本电路、但如果您想实际实施、我建议您使用 EVM 电路。 对于1A 应用、您可能需要更改电阻器和晶体管。
NPN = MJE3055
PNP = MJE2955
对于限流1A、我建议将 R30和 R31替换为0.6欧姆。 另请注意、仅针对拉电流实施电流限制。 如果您需要相同的灌电流、请添加另一个 PNP 晶体管
此致、
AK