Other Parts Discussed in Thread: ADC3644, ADC3644EVM
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我在实验中进行了两种类型的测量、以确定 ADC3644延迟。 这两种方法的结果都是50ns。 数据表声称延迟仅为一个时钟周期。 在本例中、这将只有8ns (125MHz)。 我不使用任何抽取功能、并将模式设置为 DDR CMOS。
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Other Parts Discussed in Thread: ADC3644, ADC3644EVM
我在实验中进行了两种类型的测量、以确定 ADC3644延迟。 这两种方法的结果都是50ns。 数据表声称延迟仅为一个时钟周期。 在本例中、这将只有8ns (125MHz)。 我不使用任何抽取功能、并将模式设置为 DDR CMOS。
您好、Jim、
很抱歉耽误您的时间、我联系验证团队、听取有关该器件特性的反馈。
在125m 下采样时、您是正确的、您预计在一个周期延迟内会有8ns 的延迟。 但是、还必须考虑传播延迟-在数据表中、这可以在第10页上找到、并且是典型值。 5ns、带0.3ns 时钟引线(TCD)。
这意味着器件将为8ns + 5ns + 0.3ns = 13.3ns。
对于 FPGA、您正在查看一个时钟周期-反串行化是在一个 DCLK 中完成的吗? 您如何将该数据传输到 GPIO 或其他 DDR 接口上的 DAC (即、这里是否会产生额外的延迟?)
DAC 不能具有零延迟。 您能否提供 DAC 器件型号?
此致、Amy
您好、Jim、
以下是验证团队提供的其他详细信息、以50MSPS 为例(20ns 周期):
在50MSPS 时、位周期为20ns。 您在时序图中看到 DCLK 的上升沿以7LSB 开始采样、然后是7 MSB: 
将它与进行的测量叠加起来、您可以看到从采样信号到具有 MSB (高电平)的样本的延迟实际上仅为~30ns: 
在数据表中、我们给出了5ns (典型值)的传播延迟加上~ 0.3ns 的时钟超前加上一个时钟周期的数字延迟、因此总延迟为~ 25.3ns。 此测量值为~ 28ns、其中探头电容可能是额外延迟的原因。
您能否提供脉冲数据测量结果? 您是否还能提供 DAC 器件型号? 如果您想进一步讨论、我们也可以打电话。
此致、Amy