您好、Expert，
感谢您的热情帮助！
下面是我提出的一些问题。
1.我用 CS 计算表的 Excel 来计算一些参数。 分辨率(mA)=0.1/b3*1000. 似乎分辨率只是与分流电阻器有关系。 在我看来、分辨率确实与 ADC 位有一些关系。
2. 您可以提供一些有关 ADS131M02-Q1的时钟输入的建议吗？ 我们是否需要另一个外部时钟？ 或 MCU 的输出足以满足我们的应用需求？
期待您的回复！
此致
伊梅尔达
尊敬的 Imelda：
Unknown 说：1. 我使用 CS 计算表中的 Excel 来计算一些参数。 分辨率(mA)=0.1/b3*1000. 似乎分辨率只是与分流电阻器有关系。 从我的角度来看，分辨率确实与 ADC 的位有一定的关系。
简而言之、在进行校准之后、与 ADC 相比、分流电阻器应该是主要的误差源。
话虽如此、热噪声会限制 ADC 的有效分辨率。 将 RMS 噪声代入下面的公式、即可获得由 OSR (或数据速率)和增益确定的有效分辨率列。
查看此 TI 设计以了解此器件系列的误差类型： TI 设计-使用独立 ADC 的高精度分相 CT 电量计参考设计： https://www.ti.com/tool/TIDA-010037
Unknown 说：2. 您能不能就 ADS131M02-Q1的时钟输入提供一些建议？ 我们是否需要另一个外部时钟？ 或者 MCU 的输出足以满足我们的应用需求？
实际上、时钟的唯一问题是确保它处于数据表中指定的范围内、并且调整频率会影响数据速率：
然后,确认抖动可以您的测量,下面是一个常见问题: https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/890938/faq-the-relationship-between-snr-and-adc-clock-jitter . 我发现大多数 MCU 可以实现非常好的性能、因此没有真正的问题。 它甚至是最佳配置、因为 SCLK 和 f_CLKIN 源自同一个源。
如果您需要备份、我们可以在 EVM 上使用晶体。如果 MCU 由于某种原因存在限制、我们可以使用该晶体获得数据表性能： https://www.ti.com/tool/ADS131M04EVM
此致！
-Cole.
