主题中讨论的其他器件:TLV431A、TLV431、
HY,
我正在使用 AMC3311DWER 隔离放大器设计电路。
遗憾的是、您的数据表尚不清楚高侧直流/直流输出和 LDO 输出的稳定性信息。
当使用小容量或大容量值时、LDO 的摆幅通常很容易。
只有一个示例电路(图8-1)、但没有稳定边界条件图(例如为 TLV431A 和大多数 LDO 提供)等图。
因此、由于我希望使用图8-1中给出的更高容量值来稳定辅助电路、因此我需要一个允许容量的范围。
提前感谢、
Jörg
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HY,
我正在使用 AMC3311DWER 隔离放大器设计电路。
遗憾的是、您的数据表尚不清楚高侧直流/直流输出和 LDO 输出的稳定性信息。
当使用小容量或大容量值时、LDO 的摆幅通常很容易。
只有一个示例电路(图8-1)、但没有稳定边界条件图(例如为 TLV431A 和大多数 LDO 提供)等图。
因此、由于我希望使用图8-1中给出的更高容量值来稳定辅助电路、因此我需要一个允许容量的范围。
提前感谢、
Jörg
您好、Eva、
感谢您的进一步询问。
我想知道一个容量范围、其中 HLDO_OUT 是稳定的。
但目前、我根据数据表中图8-1和图8-5中的示例得出了设计、并且仅添加了一个参考并联二极管(TLV431AID)作为辅助器件。 进行建模。
出于稳定性原因、对于该基准并联二极管、我并联使用2µ2 μ F X7R 电容器、如 TLV431数据表中建议的结果、图 18.
这个辅助 该电路使用820欧姆电阻器连接到 HLDO_OUT、因此我认为没关系。
但最后、我搜索了 AMC3311次级侧 LDO 的稳定性边界条件图、就像为 TLV431提供的那样。
此致
Jörg
PS:我不认为一个简单的方法来包括一个屏幕截图(直接上传,而不是超过第三方恶棍)我的电路到帖子,这是为什么我用文字描述它...