[参考译文] DLPLCR99UVEVM：使用纳秒脉冲激光的 DLPLCR99UVEVM 的散热注意事项

嗨、Aaron、  

感谢您的耐心等待、我在内部与我们的机械/热力团队讨论了这个问题。  请在 下面查看他们的建议：

“  

DMD 上的吸收负载取决于微镜主要处于打开还是关闭状态。 对于 355nm 照明、估计的导通状态下吸收~0.21、关断状态下吸收~0.37（假设波束仅填充有源阵列而不会出现溢出）。  根据您的~10W 入射功率条件、这会导致吸收的光负载约为 2.1W 至 3.7W。 但是、DLP991UUV DMD 的电功率耗散相当高、并在的热计算部分中列为 9.5W  DLP991UUV 数据表、因此 DMD 的总热负荷预计约为 11.6W 至 13.2W

从散热的角度来看、封装热阻约为 0.55°C/W、DLPLCR99UVEVM 散热器（无源，无气流）估计为≥3°C/W。 这会导致总热阻为~Ω 3.55°C/W、这意味着阵列在高端负载下的总温升为 13.2W *(0.55 +θ 3ºC)= 46.9ºC Ω。 在 20ºC μ A 的环境中、阵列值为 66.9ºC μ A。

DLP991U DMD 阵列温度的 ºC 工作温度（如数据表中所述）在 20–30 μ F 之间、这意味着 DMD 阵列温度将超过该阵列的建议工作范围 20–30°C。 在此基础上 仅靠无源散热器不足以在这些条件下维持安全的工作温度 。 我们 建议添加主动冷却（使用风扇强制通风） 。 根据您的系统限制、可能需要更大的散热器或液体冷却解决方案来保持足够的热裕度。

由于这是一种脉冲激光应用、我看了阵列上方镜体和镜面的温升。 如果脉冲非常短且峰值功率非常高、则这可能会成为问题、但看起来您的条件不错。  在 40kHz、10W 入射和 15ns 脉冲下、镜体上升为~0.6ºC μ s、镜面上升为~0.1ºC μ s。  在 200kHz 时、这些电阻降至~0.3ºC μ A 和 0.03ºC μ A。  您的电流条件（~40kHz、15ns 脉冲宽度）不会引入明显的瞬态散热问题 、并且微镜水平下的估计温升相对较小、和 从热的角度来看、不需要增加重复率 。 因此、我认为没有必要提高重复率（至少不是出于散热原因）。

如果您对脉冲激光操作的更详细分析感兴趣、建议查看我们的应用手册  DLPA027。 本应用手册介绍了脉冲照明下 DMD 的热注意事项、并展示了涉及脉冲激光计算的示例。

“

此致、  

Tristan Bottone