器件型号:DLPLIGHTCRAFTER
你(们)好
该 DLPCR9000EVM 评估板目前位于小组中、我将对其进行测试以确认特定特性、以便我们稍后可以使用适用于我们应用的正确模型。 为了更好地了解 DMD、我想询问一些 有关此模块(可能还有 DLP9000芯片)的基本信息:
从101文档中可以看到、如果我使用全局复位、将会有一个复位周期、在此期间、芯片上的所有微镜都将变为新状态。 那么、在哪里可以找到 DLP9000芯片的此参数呢? 我在规格表中只看到2.5us 的"交叉"时间、但我想这不是实际的复位时间? 此外、在复位期间、是否所有微镜同时改变状态、或者实际上是 以"滚动快门方式"完成的、因此一些微镜首先改变、而其他微镜随后改变?
2.当我在 GUI 中使用“动态模式”模式时,它一直提醒我黑暗时间应该超过105us --那么这个黑暗时间到底是什么? 是时候加载 CMOS 单元加载复位周期了吗? 哦、还有一个相关的问题:这个芯片的 LVDS 是32位的、就像101文档中的一样(所以更新一行需要80个时钟脉冲)?
3.是否可以只加载和更新每个块中的芯片子集? 我还记得 Fizix 曾经告诉我 DLP650LNIR 可以执行此 Load4操作、从而有效地缩短负载时间(我只需要在一个块中的多个行上加载相同的模式)、只是想知道 DLP9000芯片是否可以实现这一点? 甚至可以通过 GUI 实现?
最后一个问题:我想知道是否可以在 DLP 芯片上获得更大的闪存? DLPCR9000EVM 似乎能够存储多达400个二进制图形、但我们可能需要多达1600个图形。
谢谢、
沈玉杰