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数据表给出了 CML 输出 Vocm 为 Vdd-0.3至 Vdd-0.2、Vo 差分摆幅为800mV - 1200mV p-p 在3.3V Vdd 下、这意味着测量单端 Vo 的值可以为3.1V OCM + 0.6V = 3.7V (最大值高于 Vdd)。 它不会在 Vdd 处钳位并产生不对称信号吗? 我有什么误解?
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数据表给出了 CML 输出 Vocm 为 Vdd-0.3至 Vdd-0.2、Vo 差分摆幅为800mV - 1200mV p-p 在3.3V Vdd 下、这意味着测量单端 Vo 的值可以为3.1V OCM + 0.6V = 3.7V (最大值高于 Vdd)。 它不会在 Vdd 处钳位并产生不对称信号吗? 我有什么误解?
尊敬的 Russell:
800mV - 1200mVppd 是差分测量。 这意味着400mV-600mVpp 单端、因此3.1Vocm + 0.2V = 3.3。 请注意、这是 CML 逻辑(请参阅 数据表中的图11)。 通常、在本例中、有50欧姆上拉至 Vdd。 对于 CML、Vocm 将由摆幅决定、因此 Vocm 也将适用于600mVpp 的情况。
谢谢、
Drew
尊敬的 Russell:
如果您有任何后续问题、敬请告知。
谢谢、
Drew