请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TUSB8041EVM 工具/软件：
尊敬的 TI 支持部门：
我目前正在使用进行设计 TUSB8041RGC 在分析的原理图时所需执行的操作 TUSB8041RGC EVM (修订版 D) 、我注意到晶体负载电容器不匹配。
在 EVM 设计中、 C1和 C2均为18 pF 。
不过、 此设计中使用的晶体的负载电容(CL)为20 pF 选择 ESD 二极管。
当我应用标准公式时：
C1=C2=2×(CL−寄生电容) C1 = C2 = 2次(CL - C_{parasitic })C1=C2=2×(CL−寄生电容)
得到的结果是 32 pF 假设典型寄生电容为4 pF。 这与 EVM 使用的18个 pF 大不相同。
您能帮助澄清一下：
-
假设该布局中的寄生电容高得多？
-
18 pF 是错误的还是有意的？
-
我是否应该在设计中使用像32 pF 这样的器件？
提前感谢您的澄清。
