工具/软件:
尊敬的团队:
为了满足 PDB 引脚外部电路的 T3上升时间要求、根据数据表中的上拉电阻10k、下拉电 容1uF、需要、Ω。
现在 、我们将下拉 电容更改为0.1uF、 上拉电阻10K 不变。开通时间缩短、μ s。
将上电完成时间提前到、然后再读取 EEPROM。
您能否帮助确认变更计划(10K 和0.1uF)是否正常?
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尊敬的团队:
为了满足 PDB 引脚外部电路的 T3上升时间要求、根据数据表中的上拉电阻10k、下拉电 容1uF、需要、Ω。
现在 、我们将下拉 电容更改为0.1uF、 上拉电阻10K 不变。开通时间缩短、μ s。
将上电完成时间提前到、然后再读取 EEPROM。
您能否帮助确认变更计划(10K 和0.1uF)是否正常?
您好 Zoe、
谢谢。
修改 PDB 外设 RC 电路(10K 和0.1uF)后。 在测试和验证过程中、发现附件中"规格"红色框内的 VPDB 不满足低于 VDDIO (0.18V) 10%的要求。
测试修改后的电路后、当 T2达到90%时、V-PDB 的电压为0.4V、这不符合 V-PDB<VDDIO (0.18V)的10%的要求、但不超过 V-PDB IL 设置的 V-PDB (0.35 * 1.8V=0.63V)、并且仍处于低电平状态。
您能否帮助确认 PDB 点的当前外围电路状态(10K 和0.1uF)是否会影响其功能? 您是否需要进行任何更改? 如果需要更改、请提供建议。