[参考译文] ESDS452-Q1：IO 转 IO 电压？ 构造与绘图不同？

尊敬的 Alexander：  

是的、我们的双向器件是按照您绘制的图像在内部构建的。 我知道我们如何将它显示在数据表中可能会造成误导、但从技术上讲、它是为了显示器件的功能、而不是内部器件的功能。  

关于您所做的测试、您是否看到了器件在两个通道之间导通？ 如果是、我们可以在实验室中检查这一点、看看是否看到相同的问题。  

此外、您是否在一个 IO 上需要+5、在另一个 IO 上需要–5V 的特定应用？ 最好使用我们的 ESDS552、它具有更高的电压、因此在 IO 之间不会导电。

此致、

McKenzie

我将使用 TVS 之后的 0.2x 分压器保护 ADS1261 的分频基准输入：

因此、根据数据表、任何引脚上的最大模拟输入为 AVDD/AVSS +~0.2、因此 14V 截止频率意味着 14V*0.2 = 2.8V。

因此、目标是使每个单独输入的电压上限为+/–2.8V、但允许差分电压高达~10V。 问题在于一个引脚上的+5V 和另一个 IO 引脚上的–5V、这会使我的输入短路、因为内部结构不像您提到的那样。 我认为没有正确描述器件的功能。

选择建议的  ESDS552 似乎会钳位在 19V、这将使模拟输入达到 3.8v。

 以这种方式绘制数据表直接影响 TI 双通道 TVS 的这些类型的应用、而 Diodes Incorporated 的器件不会出现这种行为。 如果所有 TI TVS 都这样做、则不能使用 TI 器件。

这里的这些等级 — 我想将 ESD 钳制到它上面。 AVSS/AVDD =+–2.5V — 因此为+–2.8、但* 1/0.2（因为已分频）=>~14V。