[参考译文] TUSB319-Q1：TUSB319-Q1 与 HD3SS3212-Q1 的参考图

尊敬的 Anoop：

遗憾的是、我认为对于这种特定的器件组合、我们没有任何参考设计。

我们在 HD3SS3212-Q1 数据表中确实有适用于此设置的示例图、其中显示了在组合使用这些器件时、它们真正相互连接的唯一方式是通过 HD3SS3212-Q1 的 SEL 引脚和 TUSB319-Q1 的 DIR 引脚。

我们有一款器件具有这两种器件的功能、HD3SS3220、但该器件没有 Q1 版本、因此可能无法满足您的系统需求。

如果您有任何其他问题、敬请告知。

谢谢、

Ryan

您好、Ryan、

 感谢您的见解。 但在 TUSB319-Q1 中提到了用于 Vbus 放电的下拉开关、您可以建议一种设计方法（比如我应该使用哪些器件）。 它的意义是什么。

尊敬的 Anoop：

图右下角的这一推荐开关旨在帮助确保 VBUS 快速放电、因为某些 USB 合规性测试要求快速打开和关闭 VBUS、如果 VBUS 放电速度太慢、可能会导致这些特定合规性测试失败。 这有助于确保 VBUS 快速放电、使 VBUS 能够在没有问题的情况下导通和关断。

至于为此目的提供的开关建议、我们没有明确针对此 MOSFET/开关的建议。 如果您需要、我可以提供 EVM 设计文件、便于您使用。

谢谢、

Ryan

谢谢 Ryan ,您能分享这些文件吗?

尊敬的 Anoop：

请接受我的 E2E 朋友申请、我可以接收发送过来的这些文件。

谢谢、

Ryan

嗨、Rayn、根据数据表、当器件连接到时、ID 被拉低、然后应立即关闭开关、然后开关应为 N-mos Right。

请澄清这一点。

尊敬的 Anoop：

在 TUSB319 的原理图中、是的、这些是 N 沟道 MOSFET。

谢谢、

Ryan

我已接受朋友的请求、请发送文件。