工具/软件：
你（们）好
我考虑将 DS125BR800 IC 与 EEPROM 配合使用。
在数据表中、当 ENSMB 设置为悬空时、其读数为“读取外部 EEPROM（主 SMBus 模式）“。
但是、下面它指出、当 SNSMB 为 1 且 READ_EN 为低电平时、它“从外部 EEPROM 艺术化负载“。
将 READ_EN 设置为低电平是否会导致即使 ENSMB 为 1 也读取 EEPROM？
另请说明在 ENSMB 悬空的情况下将 READ_EN 设置为低电平与为 1 时的操作差异。
此外、关于 TPOR 的“上电复位后器件必须运行的时间“、
这是否是指当 READ_EN 始终保持低电平时完成 EEPROM 读取所需的时间、
或者、器件是否需要上电并完成读取 EEPROM 的准备工作？
尊敬的 Tomoki-San：
EEPROM 加载将仅在“主器件 SMBus 模式“下发生。
请注意、如数据表的 SMBus 模式所述、除非设置了此引脚的覆盖位、否则 SD_TH 引脚（引脚 26）将保持有效。
2.这是 POR 后器件在 SMBus 上开始响应所需的最长时间。 请注意、该值直接以 SMBus 规范为基准。
谢谢、
Drew
尊敬的 Tomoki-San：
没有这个设备的数据。
DS280BR820 使用与 DS125BR800 相同的 EEPROM 结构、我预计加载时间相当。
谢谢、
Drew
您好,感谢您的答复。
我还有一个关于 EEPROM 的问题。
我想按照数据表第 8.3.2.1.1 节中所述开启信号检测功能以使用 9.2Gbps 频段。
由于我无法准备 SMBus 主设备、因此我想在转接驱动器的 EEPROM 中设置此配置。
但是、EEPROM 的寄存器映射不会指定可以设置的区域：
1.写入寄存器 0x0D[1]= 1'b、0x14[1]= 1'b、0x1B[1]= 1'b、0x22[1]= 1'b //* CH0 - CH3
2.写入寄存器 0x2A[1]= 1'b、0x31[1]= 1'b、0x38[1]= 1'b、0x3F[1]= 1'b //* CH4 - CH7
这是否意味着无法在 EEPROM 中设置信号检测配置？
（这是否也包括保留区域？）
我们的配置假设转接驱动器和 EEPROM 之间具有 1：1 连接。 
