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器件型号：DS90UB914A-Q1工具/软件：
大家好！
我有关于 DS90UB914A 的问题。
(1) 数据表建议 VDDCML0/1 使用 0.01uF、0.1uF 和 22uF 电容器、但 EVM 使用 0.1uF、1uF 和 22uF。
我应该遵循哪项建议？
(2) 数据表建议 VDDR 和 VDDD 使用 0.01uF 和 0.1uF 电容器、但 EVM 使用 0.1uF 和 1uF。
我应该遵循哪项建议？
(3) 数据表建议为 VDDSSG 使用 0.01uF 和 0.1uF 电容器、但 EVM 使用 0.1uF 和 1uF、并通过 0Ω 电阻器与其他电源隔离。
EVM 似乎具有更好的旁路效果、那么我应该遵循哪项建议？
(4) 关于 VDDPLL 电容器、数据表建议使用 0.01uF 和 0.1uF、但 EVM 使用 0.1uF 和 1uF。
最好遵循哪一项？
(5) 关于 VDDIO1、2 和 3 电容器、数据表建议使用 0.01uF、0.1uF 和 4.7uF、但 EVM 使用 0.1uF、1uF 和 22uF。
最好遵循哪一项？
此致、
Ishiwata
